K7I643684M
K7I641884M
热阻
PRMETER
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
典型值
21
2.48
单位
笔记
°C
/W
°C
/W
注意：
结温是在芯片上的功耗，封装的热阻抗的功能，安装现场的温度和安装现场
热阻抗。牛逼
J
=T
A
+ P
D
x
θ
JA
引脚电容
PRMETER
地址控制输入电容
输入和输出电容
时钟电容
符号
C
IN
C
OUT
C
CLK
Testcondition
V
IN
=0V
V
OUT
=0V
-
典型值
3.5
4
3
最大
4
5
4
单位
pF
pF
pF
笔记
注意：
1.参数与RQ = 250Ω和V测试
DDQ
=1.5V.
2.周期性采样，而不是100 ％测试。
AC测试条件
参数
核心供电电压
输出电源电压
输入高电平/低电平
输入参考电平
输入的上升/下降时间
输出时序参考电平
注意：
参数与RQ = 250Ω测试
AC测试输出负载
对称
V
DD
V
DDQ
V
IH
/
V
REF
T
R
/T
F
价值
1.7~1.9
1.4~1.9
1.25/0.25
0.75
0.3/0.3
V
DDQ
/2
单位
V
V
V
V
ns
V
V
REF
0.75V
V
DDQ
/2
50
Zo=50
SRAM
ZQ
250
Overershoot时间
20% t
KHKH
（分钟）
V
DDQ
+0.5V
V
DDQ
+0.25V
V
DDQ
冲时间
V
IH
V
SS
V
SS
-0.25V
V
SS
-0.5V
V
IL
注意：
对于电，V
IH
≤
V
DDQ
+ 0.3V和V
DD
≤
1.7V和V
DDQ
≤
1.4V吨
≤
200ms
20% t
KHKH
（分钟）
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修订版1.3 2007年3月
