K7I643684M
K7I641884M
参数
输入高电压
输入低电压
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
民
V
REF
+ 0.2
-
最大
-
V
REF
- 0.2
单位
V
V
笔记
1,2
1,2
AC电气特性
(V
DD
=1.8V
±0.1V,
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
注意事项：
1，这种情况是交流功能测试而已，没有交流参数测试。
2.要保持一个有效电平，输入的过渡边缘必须：
a）到目标的AC电平，V延从当前的AC电平恒定的压摆率
白细胞介素（AC）的
或V
IH （AC）的
B）至少达到目标水平的交流
交流目标电平达到三）后，继续维持在至少所述靶的DC电平，V
IL （ DC ）
或V
IH（ DC）的
AC时序特性
(V
DD
= 1.8V ± 0.1V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
时钟
时钟周期（K ， K， C，C ）
时钟相位抖动（K ， K， C，C ）
时钟高电平时间（K ， K， C，C ）
时钟低电平时间（K ， K， C，C ）
时钟时钟（K ↑
→
↑ ，C ↑
→
C↑)
时钟数据时钟（K ↑
→
↑ ，K ↑→ ↑ ）
符号
-30
民
3.30
1.32
1.32
1.49
0.00
1024
30
0.45
-0.45
0.45
-0.45
0.27
-0.27
0.45
-0.45
0.40
0.40
0.30
0.40
0.40
0.30
-0.45
0.50
0.50
0.35
0.50
0.50
0.35
-0.30
-0.45
-0.45
1.45
最大
8.40
0.20
1.60
1.60
1.80
0.00
1024
30
民
4.00
-25
最大
8.40
0.20
2.00
2.00
2.20
1.80
0.00
1024
30
0.45
-0.45
0.45
-0.45
0.30
-0.35
0.45
-0.45
0.60
0.60
0.40
0.60
0.60
0.40
民
5.00
-20
最大
8.40
0.20
2.40
2.40
2.70
2.30
0.00
1024
30
0.45
-0.50
0.45
-0.50
0.35
-0.40
0.45
-0.50
0.70
0.70
0.50
0.70
0.70
0.50
民
6.00
-16
最大
8.40
0.20
单位注
t
KHKH
t
KC功
t
KHKL
t
KLKH
t
KHKH
t
KHCH
t
KC锁
t
KC复位
t
CHQV
t
CHQX
t
CHCQV
t
CHCQX
t
CQHQV
t
CQHQX
t
CHQZ
t
CHQX1
t
AVKH
t
IVKH
t
DVKH
t
KHAX
t
KHIX
t
KHDX
ns
ns
ns
ns
ns
5
2.80
ns
周期
ns
6
DLL锁定时间（K ，C ）
节点静力到DLL复位
输出时间
C， C高到输出有效
C，C高到输出保持
C， C高 - 回波时钟有效
C， C高 - 回波时钟保持
CQ ， CQ高到输出有效
CQ ， CQ高到输出保持
C，高到输出高阻
C，高到输出低Z
设置时间
地址有效至K上升沿
有效期至K上升沿控制输入
数据的有效至K ，K上升沿
保持时间
上升沿到地址保持
上升沿控制输入举行
，K上升沿输入数据保持
0.50
0.50
0.40
0.50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
7
7
3
3
2
注意事项：
1.所有地址输入必须符合规定的建立和保持时间对所有锁存时钟边沿。
2.控制单打R，W ， BW
0
， BW
1
和BW
2
， BW
3
，也为X36
3.如果是C ，C是绑高，K ，K成为了C，C时序参数的引用。
4.为了避免总线竞争，在给定的电压和温度tCHQX
1
大于tCHQZ 。
规格如图并不意味着总线争用，因为tCHQX
1
是一个最小的参数，是最坏的情况下，在完全不同的测试条件下
（0℃ ， 1.9V ）比tCHQZ ，这是一个最大的参数（最坏的情况下，在70℃ ， 1.7V ）
它不可能在同一基板2的SRAM是在这样的不同的电压和温度。
5.时钟相位抖动是从时钟上升缘方差到下一个预期的时钟上升沿。
6. Vdd的压摆率必须小于0.1V的DC每50纳秒为DLL中保持锁定。 DLL锁定时间开始一旦VDD电压和输入时钟是稳定的。
7.回波时钟非常严格控制对数据的有效/数据保持。在设计上，有一
± 0.1
ns的变化，从回波时钟数据。
数据表中的参数反映测试者的保护带和测试设置的变化。
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修订版1.3 2007年3月
