RDD050N20
晶体管
10V驱动N沟道MOSFET
RDD050N20
结构
硅N沟道
MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
CPT3
特点
1）低导通电阻。
2 ）低输入电容。
从静电损坏3 ）方位的阻力。
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Source)
应用
开关
包装规格
包
TYPE
RDD050N20
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
2500
等效电路
2
1
1
体二极管
2
栅极保护
二极管
(1)GATE
(2)DRAIN
(3)SOURCE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
I
AS
2
E
AS
2
P
D
T
ch
T
英镑
范围
200
±30
±5
±20
5
20
5
75
20
150
55
+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
(1)
(2)
(3)
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
雪崩电流
雪崩能量
总功率耗散（T
C
=25°C)
通道温度
储存温度
1
Pw
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
2
L 4.5mH ，V
DD
=50V,
R
G
=25,
1PULSE ，总胆固醇= 25°C
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH （ CH -C ）
范围
6.25
单位
° C / W
1/5
