添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第482页 > RDD050N20
RDD050N20
晶体管
10V驱动N沟道MOSFET
RDD050N20
结构
硅N沟道
MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
CPT3
特点
1）低导通电阻。
2 ）低输入电容。
从静电损坏3 ）方位的阻力。
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Source)
应用
开关
包装规格
包
TYPE
RDD050N20
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
2500
等效电路
2
1
1
体二极管
2
栅极保护
二极管
(1)GATE
(2)DRAIN
(3)SOURCE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
I
AS
2
E
AS
2
P
D
T
ch
T
英镑
范围
200
±30
±5
±20
5
20
5
75
20
150
55
+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
(1)
(2)
(3)
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
雪崩电流
雪崩能量
总功率耗散（T
C
=25°C)
通道温度
储存温度
1
Pw
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
2
L 4.5mH ，V
DD
=50V,
R
G
=25,
1PULSE ，总胆固醇= 25°C
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH （ CH -C ）
范围
6.25
单位
° C / W
1/5
RDD050N20
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
200
2.0
1.1
典型值。
0.55
1.8
292
92
28
10
22
23
28
9.3
2.8
3.7
马克斯。
±10
25
4.0
0.72
单位
A
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=200V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=2.5A,
V
GS
=10V
V
DS
=10V,
I
D
=2.5A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=2.5A,
V
DD
100V
V
GS
=10V
R
L
=40
R
G
=10
V
DD
=100V
V
GS
=10V
I
D
=5A
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
脉冲
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
分钟。
典型值。
117
0.37
马克斯。
1.5
单位
V
ns
C
条件
I
S
= 5.0A ，V
GS
=0V
I
DR
= 5.0A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A /
s
2/5
RDD050N20
晶体管
电气特性曲线
100
10
Ta=25°C
9脉冲
8V
100
V
DS
=10V
脉冲
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
PW=100us
10
1ms
1
直流工作
0.1
Tc=25°C
单脉冲
0.01
1
10
100
1000
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10V
9V
7V
10
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
6V
0.1
5V
V
GS
=4V
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
0.01
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
(V)
栅源电压： V
GS
(V)
漏源电压：我
D
(A)
图1最大安全工作区
图2典型的输出特性
图3典型的转移
特征
栅极阈值电压：
V
GS （ TH）
(V)
6.4
5.6
4.8
4
3.2
2.4
1.6
0.8
0
-50
-25
0
25
50
75
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
()
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
()
V
DS
=10V
I
D
=1mA
10
V
GS
=10V
脉冲
TA
25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
=5A
2.5A
Ta=25°C
脉冲
10
100 125 150
1
0.01
0.1
1
10
通道温度：T已
ch
(°C)
漏电流：我
D
(A)
栅源电压： V
GS
(V)
图4栅极阈值电压
与通道温度
图5静态漏源
导通状态电阻
与漏电流
图6静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
2.5
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
()
5
正向传递
导纳： Yfs （ S）
2
反向漏电流：我
DR
(A)
V
GS
=10V
脉冲
10
V
DS
=10V
脉冲
100
V
GS
=0V
脉冲
10
2
1
0.5
TA
25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
1.5
1
1
I
D
=5A
2.5A
TA
25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.5
0.2
0.1
0.1
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.05
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
通道温度：T已
ch
(°C)
漏电流：我
D
(A)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图7静态漏源
通态电阻VS.
通道温度
图8正向转移导纳
与漏电流
图9反向漏电流随
源 - 漏电压
3/5
RDD050N20
晶体管
1000
200
20
V
DS
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
V
DD
=40V
V
DD
=100V
V
DD
=160V
V
DD
=40V
V
DD
=100V
V
DD
=160V
C
国际空间站
100
V
GS
10
反向恢复时间：吨
rr
（纳秒）
漏源电压：我
DS
(V)
栅源电压： V
GS
(V)
Ta=25°C
I
D
=5A
脉冲
1000
电容：C （PF ）
Ta=25°C
的di / dt = 100A /
s
V
GS
=0V
脉冲
100
10
f=1MHz
V
GS
=0V
Ta=25°C
脉冲
1
0.1
1
C
OSS
C
RSS
10
100
1000
8
10
12
0
14
1
0.1
1
10
漏源电压： V
DS
(V)
总栅极电荷：Q
g
（ NC ）
反向漏电流：我
DR
(A)
图10典型的电容与
漏源电压
图11动态输入特性
图12反向恢复时间
与反向漏电流
1000
切换时间：
T（ NS ）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
=100V
V
GS
=10V
R
Q
=10
脉冲
t
D（关闭）
t
r
10
t
D（上）
1
0.1
1
10
漏电流：我
D
(A)
图13开关特性的影响
4/5
RDD050N20
晶体管
开关特性测量电路
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
图3-1雪崩测量电路
3-2雪崩波形
5/5
查看更多RDD050N20PDF信息
推荐型号
RBD10103G
RN164PJ103GS
RE5VL37CC
RBM-091.8D
ROM-1512SP
RN1911
RK-2412SHP
RC5036M
RN5RZ49LA-TL
RWR89Z
RM21TP-CPA-15S
RN73C2A3K48BTDF
R3112Q451A-TR
RSO-1212/H3
RB0608821KL
RP34-8SP-4PCE
R1223N492H
RD40152K
RAYRIM-NR8-O
RLB0712-121KL
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RDD050N20
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RDD050N20
ROHM/罗姆
2443+
23000
SOT-252
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RDD050N20
ROHM
24+
18650
SOT-252
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
RDD050N20
VB
25+23+
35500
TO-252
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RDD050N20
ROHM/罗姆
2024
20918
SOT-252
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
RDD050N20
ROHM/罗姆
2406+
7500
SOT-252
原装现货!量大可订！特价支持实单！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RDD050N20
ROHM/罗姆
2024
20918
SOT-252
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
RDD050N20
ROHM
21+
4000
TO-252
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
RDD050N20
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8245
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
RDD050N20
ROHM/罗姆
21+
29000
TO-252
全新原装，欢迎订购！
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
RDD050N20
ROHM/罗姆
21+22+
15800
SOT-252
全新原装正品/质量有保证
查询更多RDD050N20供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！