RN1910,RN1911
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1910,RN1911
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
包括US6两个设备（超超迷你型6引脚）
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2910 ， RN2911
单位：mm
等效电路
最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
Characterisstic
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
J
j
T
英镑
等级
50
50
5
100
200
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-2J1A
*:
总评分
等效电路
（ TOP VIEW ）
1
2001-06-07
RN1910,RN1911
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
转换频率
集电极输出电容
输入电阻
RN1910
RN1911
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
R1
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0V ， F = 1MHz的
―
民
―
―
120
―
―
―
3.29
7
典型值。
―
―
―
0.1
250
3
4.7
10
最大
100
100
700
0.3
―
6
6.11
13
单位
nA
nA
―
V
兆赫
pF
k
（ Q1 ， Q2常见）
2
2001-06-07
RN1910,RN1911
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
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东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1910,RN1911
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
包括US6两个设备（超超迷你型6引脚）
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2910 ， RN2911
单位：mm
等效电路
最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
Characterisstic
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
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J
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英镑
等级
50
50
5
100
200
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-2J1A
*:
总评分
等效电路
（ TOP VIEW ）
1
2001-06-07
RN1910,RN1911
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
转换频率
集电极输出电容
输入电阻
RN1910
RN1911
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
R1
TEST
电路
―
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测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0V ， F = 1MHz的
―
民
―
―
120
―
―
―
3.29
7
典型值。
―
―
―
0.1
250
3
4.7
10
最大
100
100
700
0.3
―
6
6.11
13
单位
nA
nA
―
V
兆赫
pF
k
（ Q1 ， Q2常见）
2
2001-06-07
RN1910,RN1911
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
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此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2001-06-07
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