FIN3385 FIN3383 FIN3384 FIN3386
绝对最大额定值
（注7 ）
电源电压（V
CC
)
TTL / CMOS输入/输出电压
LVDS输入/输出电压
LVDS输出短路电流（I
OSD
)
存储温度范围（T
英镑
)
最高结温（T
J
)
引线温度（T
L
)
（焊接， 4秒）
ESD额定值（ HBM ，有1.5
:
100 pF的）
I / O至GND
所有引脚
ESD额定值（ MM ， 0
:
200 pF的）
260
q
C
-0.3V至+ 4.6V
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
工作温度（T
A
） （注7 ）
最大电源电压噪声
(V
CCNPP
)
100毫伏
P-P
（注8）
3.0V至3.6V
0.5V至
4.6V
-0.3V至+ 4.6V
连续
10°C至
70°C
65
q
C到
150
q
C
150
q
C
!
10.0千伏
!
6.5千伏
!
400V
注7 ：
绝对最大额定值是DC值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。数据表规格
系统蒸发散应满足，无例外地，以确保系统的设计是
在可靠的电源，温度和输入/输出负载VARI-
冷杉。飞兆半导体不表外推荐操作specifi-
阳离子。
注8 ：
100mV的V
CC
噪声应为频率至少高达待测试
2兆赫。所有本说明书中下面要在这样的噪声来满足。
发射器直流电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注9 ）
符号
V
IH
V
IL
V
IK
I
IN
输入高电压
输入低电压
输入钳位电压
输入电流
I
IK
V
IN
V
IN
发射器LVDS输出特性（注10 ）
V
OD
输出电压差
V
OD
变化幅度从差分低到高
失调电压
从差分低到高的偏移幅度变化
短路输出电流
残疾人输出漏电流
28 ： 4变送器电源电流
在最坏情况的模式（满载）
（注11 ）
R
L
100
:
,
见图3
V
OUT
DO
0V
0V至4.6V ， PWRDN
0V
R
L
100
:
见图1
250
1.125
待定
1.25
450
35.0
1.375
mV
mV
V
mV
mA
参数
测试条件
民
2.0
GND
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
发送LVTTL输入特性
18毫安
0.4V至4.6V
GND
0.79
1.8
1.5
10.0
10.0
0
P
A
'
V
OD
V
OS
'
V
OS
I
OS
I
OZ
I
CCWT
3.5
r
1.0
31.0
32.0
37.0
42.0
10.0
32.5兆赫
29.0
30.0
35.0
39.0
40.0兆赫
65.0兆赫
85.0兆赫
5.0
r
10.0
49.5
55.0
60.5
66.0
55.0
41.8
44.0
49.5
55.0
P
A
变送器供电电流
32.5兆赫
40.0兆赫
66.0兆赫
85.0兆赫
I
CCPDT
I
CCGT
断电电源电流
28 ： 4发射机电源电流
16灰度（注11 ）
见图21
（注12 ）
注9 ：
所有典型值是在T
A
25
q
C和V带
CC
3.3V.
mA
PWRDN
0.8V
P
A
mA
注10 ：
正电流值是指流过的电流转换成设备和负值意味着电流流出引脚。电压为基准，以
地，除非另有说明（除
'
V
OD
和V
OD
).
注11 ：
的电源电流为发射器和接收器可以是具有活性的I / O信道的数目不同。
注12 ：
16灰阶测试图测试器件的功耗为一个“典型的”LCD显示方式。测试模式近似信号切换
生产所需的横跨显示器16的垂直条带组。
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