FDQ7238AS
典型特征： Q2
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
示出的反向恢复特性
FDQ7238AS Q2。
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加耗散在设备的电源。
0.1
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.01
T
A
= 125
o
C
电流： 0.8A / DIV
0.001
T
A
= 100
o
C
0.0001
T
A
= 25
o
C
0.00001
0
5
10
15
20
V
DS
，反向电压（V）的
25
30
图14. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度。
TIME ：为12ns / DIV
图12. FDQ7238AS SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
不等同尺寸的MOSFET产生的
SyncFET(FDS6670A).
电流： 0.4A / DIV
TIME ：为12ns / DIV
图13.非SyncFET （ FDS6670A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDQ7238AS版本A
1(X)
