【FDQ7238AS2008年5月FDQ7238AS双笔记本电源n沟道PowerTrench在SO- 】,IC型号FDQ7238AS,FDQ7238AS PDF资料,FDQ7238AS经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDQ7238AS

2008年5月

FDQ7238AS

双笔记本电源n沟道PowerTrench

在SO- 14封装

概述

该FDQ7238AS被设计来取代两个单SO-

8 MOSFET的直流到直流电源。高侧

开关（ Q1 ）的设计特别强调

降低开关损耗，而低压侧开关

（ Q2 ）优化利用，以减少传导损耗

TM

飞兆半导体的SyncFET

技术。该FDQ7238AS

包括MOSFET的专利组合

与肖特基二极管单片集成。

特点

Q2:

14 A， 30V 。

DS （ ON）

= 8.7毫欧@ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 10.5毫欧@ V

GS

= 4.5V

Q1:

11A， 30V 。

DS （ ON）

= 13.2毫欧@ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 16毫欧@ V

GS

= 4.5V

S2

SO-14

销1

G1

VIN

G2

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

Q2

30

（注1A ）

Q1

30

±20

11

50

1.8

1.1

55

+150

单位

V

A

W

°C

功率消耗单操作

（注1A & 1B ）

（注1C & 1D ）

±20

14

50

2.4

1.3

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A & 1B ）

（注1C & 1D ）

52

94

68

118

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDQ7238AS

设备

FDQ7238AS

带尺寸

13”

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500台

2008

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDQ7238AS版本A1 （ X）

FDQ7238AS

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

测试条件

V

GS

= 0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A

I

D

= 10毫安，引用至25℃

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V,

T

J

= 125°C

V

GS

=

±20

V,

V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 1毫安

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 10毫安，引用至25℃

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V,

I

D

= 14 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 13 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 14A ，T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V,

I

D

= 11 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 11, T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 5 V

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 5 V

V

DS

= 10 V,

I

D

= 14 A

I

D

= 11 A

V

DS

= 10 V,

输入最小值典型值

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

所有

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

25

24

最大单位

V

毫伏/°C的

500

1

A

mA

A

nA

V

毫伏/°C的

8.7

10.5

12.5

13.2

16

19

m

开关特性

5.6

40

±100

1

1.8

1.7

3

4

7.2

8.7

10

11

13

15

3

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

门体漏

（注2 ）

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

Q1

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

50

58

43

1530

920

440

190

160

120

1.9

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

GS

= 15mV的， F = 1.0 MHz的

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

pF

FDQ7238AS版本A1 （ X）

FDQ7238AS

电气特性

符号

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

（注2 ）

测试条件

输入最小值典型值

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

12

9

13

5

30

27

19

4

17

11

18

15

28

16

13

9

28

17

15

9

4.1

2.7

4.9

3.3

最大单位

21

18

23

10

49

43

35

8

30

20

32

26

44

29

23

18

39

24

21

19

ns

nC

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 4.5V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

总栅极电荷，V

GS

= 10V

总栅极电荷，V

GS

= 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

Q2

V

DS

= 15 V，I

D

= 14A

Q1

V

DS

= 15 V，I

D

= 11A

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V,

I

S

= 3.4 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 1.9 A

I

S

= 2.1 A

V

GS

= 0 V,

I

F

= 14A

dI

F

/ DT = 300 A / μs的

I

F

= 11A

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注2 ）

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

注意：

1.

0.5

0.4

0.7

22

15

16

5

3.4

2.1

0.7

1.2

A

V

ns

nC

ns

nC

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装

的漏极引脚表面。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a)

68 ° C / W时，

安装在一个1英寸

2

PAD

2盎司纯铜（ Q1 ）。

c)

安装时， 118 ° C / W

对2盎司最小焊盘

铜（Q1）。

b)

52 ° C / W时，

安装在一个1英寸

2

PAD

2盎司纯铜（ Q2 ）。

d)

安装在94 ° C / W

2盎司最小焊盘

铜（ Q2 ）。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3

4

FDQ7238AS版本A1 （ X）

FDQ7238AS

典型特征： Q2

50

V

GS

= 10V

40

6.0V

3.5V

4.0V

4.5V

30

3.0V

20

2.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= 3.0V

2.2

I

D

，漏电流（ A）

1.8

3.5V

1.4

4.0V

4.5V

6.0V

10.0V

10

2.5V

0

0.5

1

1.5

V

DS

，漏源电压（V ）

2

1

0.6

0

10

20

30

I

D

，漏电流（ A）

40

50

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.024

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 14A

V

GS

=10V

1.4

I

D

= 7A

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

0.02

1.2

0.016

T

A

= 125

o

C

0.012

1

T

A

= 25

o

C

0.008

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

T

J

，结温（ C）

125

150

0.004

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

50

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

V

GS

= 0V

40

I

D

，漏电流（ A）

10

T

A

= 125

o

C

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

25

o

C

30

20

T

A

= 125

o

C

-55 C

o

-55 C

o

10

25 C

o

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDQ7238AS版本A1 （ X）

FDQ7238AS

典型特征： Q2

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 14A

2500

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

8

20V

2000

电容（pF）

V

DS

= 10V

C

国际空间站

6

15V

1500

4

1000

C

OSS

2

500

C

RSS

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性。

100

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100s

R

DS （ ON）

极限

1ms

10ms

100ms

1s

10s

DC

50

图8.电容特性。

I

D

，漏电流（ A）

40

10

单脉冲

R

θ

JA

= 94 ° C / W

T

A

= 25°C

30

1

20

0.1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 94

o

C / W

T

A

= 25 C

o

10

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

1

D = 0.5

0.2

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 94 ° C / W

0.1

0.05

0.02

0.01

P（ PK）

t

1

t

2

单脉冲

0.01

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1d中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变更

FDQ7238AS版本A1 （ X）

FDQ7238AS

2005年6月

FDQ7238AS

双笔记本电源n沟道PowerTrench

在SO- 14封装

概述

该FDQ7238AS被设计来取代两个单SO-

8 MOSFET的直流到直流电源。高侧

开关（ Q1 ）的设计特别强调

降低开关损耗，而低压侧开关

（ Q2 ）优化利用，以减少传导损耗

TM

技术。该FDQ7238AS

飞兆半导体的SyncFET

包括MOSFET的专利组合

与肖特基二极管单片集成。

特点

Q2:

14 A， 30V 。

DS （ ON）

= 8.7毫欧@ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 10.5毫欧@ V

GS

= 4.5V

Q1:

11A， 30V 。

DS （ ON）

= 13.2毫欧@ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 16毫欧@ V

GS

= 4.5V

S2

SO-14

销1

G1

VIN

G2

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

Q2

30

（注1A ）

Q1

30

±20

11

50

1.8

1.1

55

+150

单位

V

A

W

°C

功率消耗单操作

（注1A & 1B ）

（注1C & 1D ）

±20

14

50

2.4

1.3

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A & 1B ）

（注1C & 1D ）

52

94

68

118

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDQ7238AS

设备

FDQ7238AS

FDQ7238AS_NL

（注3）

FDQ7238AS_NF40

（注4 ）

带尺寸

13”

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500台

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDQ7238AS版本A （ X）

FDQ7238AS

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

测试条件

V

GS

= 0 V,

I

D

= 1毫安

I

D

= 250

A

V

GS

= 0 V,

I

D

= 10毫安，引用至25℃

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V,

T

J

= 125°C

V

DS

= 0 V

V

GS

=

±20

V,

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 1毫安

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 10毫安，引用至25℃

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V,

I

D

= 14 A

I

D

= 13 A

V

GS

= 4.5 V,

V

GS

= 10 V，I

D

= 14A ，T

J

= 125°C

I

D

= 11 A

V

GS

= 10 V,

I

D

= 10 A

V

GS

= 4.5 V,

V

GS

= 10 V，I

D

= 11, T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 5 V

V

DS

= 5 V

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 10 V,

I

D

= 14 A

I

D

= 11 A

V

DS

= 10 V,

输入最小值典型值

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

所有

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

25

24

最大单位

V

毫伏/°C的

500

1

A

mA

A

nA

V

毫伏/°C的

8.7

10.5

12.5

13.2

16

19

m

开关特性

5.6

40

±100

1

1.8

1.7

3

4

7.2

8.7

10

11

13

15

3

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

门体漏

（注2 ）

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

Q1

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

50

58

43

1530

920

440

190

160

120

1.9

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

GS

= 15mV的， F = 1.0 MHz的

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

pF

FDQ7238AS版本A （ X）

FDQ7238AS

电气特性

符号

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

（注2 ）

测试条件

输入最小值典型值

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

12

9

13

5

30

27

19

4

17

11

18

15

28

16

13

9

28

17

15

9

4.1

2.7

4.9

3.3

最大单位

21

18

23

10

49

43

35

8

30

20

32

26

44

29

23

18

39

24

21

19

ns

nC

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 4.5V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

总栅极电荷，V

GS

= 10V

总栅极电荷，V

GS

= 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

Q2

V

DS

= 15 V，I

D

= 14A

Q1

V

DS

= 15 V，I

D

= 11A

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V,

I

S

= 3.4 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 1.9 A

I

S

= 2.1 A

V

GS

= 0 V,

I

F

= 14A

dI

F

/ DT = 300 A / μs的

I

F

= 11A

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注2 ）

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

注意：

1.

0.5

0.4

0.7

22

15

16

5

3.4

2.1

0.7

1.2

A

V

ns

nC

ns

nC

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装

的漏极引脚表面。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a)

68 ° C / W时，

安装在一个1英寸

2

PAD

2盎司纯铜（ Q1 ）。

c)

安装时， 118 ° C / W

对2盎司最小焊盘

铜（Q1）。

b)

52 ° C / W时，

安装在一个1英寸

2

PAD

2盎司纯铜（ Q2 ）。

d)

安装在94 ° C / W

2盎司最小焊盘

铜（ Q2 ）。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

FDQ7238AS_NL是无铅产品。该FDQ7238AS_NL标志将出现在卷标上。

4.

FDQ7238AS_NF40是无铅产品。该FDQ7238AS_NF40标志将出现在卷标上。

FDQ7238AS版本A （ X）

FDQ7238AS

典型特征： Q2

50

V

GS

= 10V

40

6.0V

3.5V

4.0V

4.5V

30

3.0V

20

2.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= 3.0V

2.2

I

D

，漏电流（ A）

1.8

3.5V

1.4

4.0V

4.5V

6.0V

10.0V

10

2.5V

0

0.5

1

1.5

V

DS

，漏源电压（V ）

2

1

0.6

0

10

20

30

I

D

，漏电流（ A）

40

50

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.024

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 14A

V

GS

=10V

1.4

I

D

= 7A

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

0.02

1.2

0.016

T

A

= 125

o

C

0.012

1

T

A

= 25

o

C

0.008

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

T

J

，结温（ C）

125

150

0.004

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

50

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

V

GS

= 0V

40

I

D

，漏电流（ A）

10

T

A

= 125

o

C

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

25

o

C

30

20

T

A

= 125

o

C

-55 C

o

-55 C

o

10

25 C

o

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDQ7238AS版本A （ X）

FDQ7238AS

典型特征： Q2

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 14A

2500

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

8

20V

2000

电容（pF）

V

DS

= 10V

C

国际空间站

6

15V

1500

4

1000

C

OSS

2

500

C

RSS

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性。

100

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100s

R

DS （ ON）

极限

1ms

10ms

100ms

1s

10s

DC

50

图8.电容特性。

I

D

，漏电流（ A）

40

10

单脉冲

R

θ

JA

= 94 ° C / W

T

A

= 25°C

30

1

20

0.1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 94

o

C / W

T

A

= 25 C

o

10

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

1

D = 0.5

0.2

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 94 ° C / W

0.1

0.05

0.02

0.01

P（ PK）

t

1

t

2

单脉冲

0.01

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1d中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变更

FDQ7238AS版本A （ X）