FDP2614 200V N沟道PowerTrench MOSFET的
图1.区域特征
500
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
图2.传输特性
1000
*注意：
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s脉冲测试
I
D
，漏电流[ A]
100
I
D
，漏电流[ A]
100
150 C
o
10
10
-55 C
25 C
o
o
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
1
0.1
2. T
C
= 25 C
o
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
1
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化与漏
电流和栅极电压
0.06
*注：t
J
= 25 C
o
图4.体二极管正向电压波动
化与源电流和温度
1000
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.05
IDR ，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
100
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
T
A
= 150 C
o
o
0.04
V
GS
= 10V
T
A
= 25 C
0.03
V
GS
= 20V
10
0.02
0
50
100
150
I
D
，漏电流[ A]
200
0.015
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD ，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
9000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
=短路
)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
10
V
DS
= 40V
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
8
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
电容[ pF的]
6000
C
OSS
6
4
3000
C
RSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
2
*注：我
D
= 62A
0
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
0
20
40
60
80
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
100
FDP2614版本A
3
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