FDP2614 200V N沟道PowerTrench MOSFET的
2007年11月
FDP2614
200V N沟道PowerTrench MOSFET的
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体Semicon-产生
导体的已埃斯佩先进的PowerTrench工艺
cially针对减少通态电阻，但
保持出色的开关性能。
tm
描述
62A ， 200V ，R
DS （ ON）
= 22.9mΩ @V
GS
= 10 V
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
符合RoHS
应用
PDP的应用
D
G
g DS的
TO-220
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
参数
评级
200
±
30
62
39.3
参见图9
145
4.5
260
2.1
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
分钟。
--
--
马克斯。
0.48
62.5
单位
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
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FDP2614版本A
FDP2614 200V N沟道PowerTrench MOSFET的
包装标志和订购信息
器件标识
FDP2614
设备
FDP2614
包
TO-220
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 31A
V
DS
= 10V ，我
D
= 31A
（注4 ）
民
200
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
典型值
--
0.2
--
--
--
--
4.0
22.9
72
5435
505
110
77
284
103
162
76
35
18
--
--
--
145
0.81
最大单位
--
--
10
500
100
-100
5.0
27
--
7230
675
165
165
560
220
335
99
--
--
62
186
1.2
--
--
V
V /°C的
μA
μA
nA
nA
V
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
A
V
ns
μC
基本特征
动态特性
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
--
--
--
V
DD
= 100V ，我
D
= 62A
V
GS
= 10V ，R
根
= 25Ω
（注4,5）
开关特性
--
--
--
--
V
DS
= 100V ，我
D
= 62A
V
GS
= 10V
--
（注4,5）
--
--
--
--
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 62A
V
GS
= 0V时，我
S
= 62A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 1MH ，我
AS
= 17A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
62A ， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
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FDP2614 200V N沟道PowerTrench MOSFET的
图1.区域特征
500
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
图2.传输特性
1000
*注意：
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s脉冲测试
I
D
，漏电流[ A]
100
I
D
，漏电流[ A]
100
150 C
o
10
10
-55 C
25 C
o
o
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
1
0.1
2. T
C
= 25 C
o
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
1
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化与漏
电流和栅极电压
0.06
*注：t
J
= 25 C
o
图4.体二极管正向电压波动
化与源电流和温度
1000
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.05
IDR ，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
100
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
T
A
= 150 C
o
o
0.04
V
GS
= 10V
T
A
= 25 C
0.03
V
GS
= 20V
10
0.02
0
50
100
150
I
D
，漏电流[ A]
200
0.015
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD ，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
9000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
=短路
)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
10
V
DS
= 40V
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
8
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
电容[ pF的]
6000
C
OSS
6
4
3000
C
RSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
2
*注：我
D
= 62A
0
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
0
20
40
60
80
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
100
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FDP2614 200V N沟道PowerTrench MOSFET的
图7.击穿电压变化与
温度
1.2
漏源击穿电压
图8.导通电阻变化与温
perature
3.0
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 31A
BV
DSS
， [归]
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.8
-100
r
DS （ ON）
， [归]
1.1
-50
0
50
100
o
T
J
，结温[C]
150
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
1000
图10.最大漏极电流与案例 -
温度
70
60
I
D
，漏电流[ A]
100
100
μ
s
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
o
1ms
10毫秒
I
D
，漏电流[ A]
400
50
40
30
20
10
0
25
1
DC
0.1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
图11.瞬态热响应曲线
10
0
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.48 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
-4
10
-2
0.02
0.01
t
2
o
单脉冲
10
-3
10
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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