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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
典型特征
开/关瞬态响应
（没有C
BYP
电容器）
开/关瞬态响应
(C
BYP
= 10nF的）
EN （ 2V / DIV ）
150mA
10mA
EN （ 2V / DIV ）
V
OUT
(1V/div)
V
OUT
(1V/div)
10mA
150mA
300mA
300mA
时间（毫秒/ DIV ）
时间（ 100μS / DIV ）
线路瞬态响应
3.20
6
5
3.10
负载瞬态响应
1200
输出电流（mA ）
输出电压（V）
3.15
3.10
3.05
3.00
2.95
2.90
输出电压（V）
3.05
3.00
2.95
2.90
2.85
2.80
1000
800
600
400
200
0
输入电压（ V）
4
3
2
1
0
TIME （为5μs / DIV ）
时间（ 100μS / DIV ）
短路电流
短路电流（A）
1.2
1
90
80
电源抑制比
与频率的关系
PSRR （分贝）
0.8
0.6
0.4
0.2
70
60
4.7μF
10μF
2.2μF
50
40
1.0μF
30
10
100
1k
10k
100k
1m
10m
0
时间（ 10毫秒/格）
频率（Hz）
6
3236.2007.03.1.4
