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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
典型特征
漏失电压与温度的关系
400
3.1
降特性
漏失电压（MV ）
300
250
200
150
100
50
0
-40
-20
0
20
40
60
80
I
L
= 300毫安
输出电压（V）
350
3.0
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
2.9
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 50毫安
2.8
I
OUT
= 300毫安
2.7
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
100
120
温度（℃）
输入电压（ V）
地电流与温度的关系
105
120
地电流与输入电压
V
OUT
= 3.0V
I
OUT
= 0
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 300毫安
接地电流（ μA ）
接地电流（ μA ）
100
95
90
85
80
-50
0
50
100
150
100
80
60
40
20
0
2
3
4
5
温度（℃）
输入电压（ V）
漏失电压与输出电流
350
3.014
输出电压与温度的关系
漏失电压（MV ）
85 C
25 C
-40 C
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
输出电压（V）
300
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
300
-50
0
50
100
150
输出电流（mA ）
温度（℃）
3236.2007.03.1.4
5
