65纳米CMOS技术， CS200 / CS200A
描述
硅器件的小型化的进展，
富士通提供了最有竞争力的，世界级的
技术的ASIC和COT客户。富士通
65纳米技术已经通过时， 25％的缩水门
相比于90纳米技术。
富士通将开始带出接受的
科技在2006年初。
特点
在30nm的长门，只有75 ％的大小
CS100晶体管。
快20 30％的性能比90纳米
一代。
晶体管密度翻倍的比较
90纳米世代。
SRAM单元面积缩小50％，与比较
90纳米世代。
特定网络阳离子
65纳米（ CS200 ）
栅长
CORE VDD
栅氧化层厚度（物理）
栅极
源/漏电极
互连
金属1间距
间电介质
漏极电流增强
30nm
1.0V
1.1nm
镍硅/多晶硅
镍硅
11铜+ 1 -Al系
0.18m
多孔ULK （K = 2.25）
先进的压力控制
65纳米（ CS200A ）
50nm
1.2V
1.7nm
CoSi2薄膜/多晶硅
CoSi2
