65纳米CMOS标准单元
CS200 ASIC系列
大
漏电流
低功耗
低功耗
阵容
阵容
CS200LL
CS200A
HS -TR
服务器/
网
UHS -TR
UHS -TR
HV -TR
D-
HV -TR
Mo
C
移动
HS -TR
HS -TR
D-
k
D-
STD -TR
STD -TR
高端服务器
STD -TR
STD -TR
LL -TR
手机
数字消费
计算
HighHigh
性能
性能
阵容CS200HP
阵容CS200
UHS ：超高速， HS ：高速
STD ：标准， LL ：低漏
速度
快
▼
特点
高集成度
- 30-50nm栅长的晶体管（ITRS路线图， 65nm制）
- 12层细间距，铜布线，及低K绝缘
材料技术
- 最大的1.8亿门，几乎两倍的90nm的
技术
- 在SRAM单元的尺寸降低50％
- 在90nm工艺上的性能提高30％
低功耗/低漏电流
I / O与焊盘结构细焊盘间距技术芯片
尺寸缩小
高速图书馆和低功耗的库可用
- 高速： CS200HP
- 低泄漏： CS200L
更高的性能，门的传播延迟TPD = 4.4ps
（ @ 1.2V ，逆变器，和F / O = 1 ， CS200HP ）
编译内存宏： 1T和6T SRAM的，和ROM
应用程序特定的IP地址
- 计算核心： ARM7 ， 9 ， 11 ，通信和
数字AV DSP
- 混合信号： ADC和DAC范围广
- 期指逻辑：的PCI-Express ， XAUI ， SATA ， DDR ， USB ， HDMI
高速接口串行解串器宏（ 10Gbps的数据速率）
宽范围的PLL ：标准高速1.6GHz的
标准的I / O ： LVTTL ， SSTL ， HSTL ， LVDS ， P- CML
宽电源电压（ 0.80V至1.30V的核心）
三重Vth的晶体管的选择
各种可用的软件包（ QFP ， FBGA ， EBGA ， PBGA ，
FC- BGA ）
设计方法和支持
- 方法，以支持数百万门
层次化设计
- 在桑尼维尔和达拉斯的优秀设计中心支持
- 全球服务机构的全球支持
描述
CS200系列， 65纳米标准单元CMOS工艺技术，
解决了PDA和移动计算的设计挑战
市场在低功耗和多功能性。它还地址
超高性能的设计，需要在前沿
网络，服务器计算机，并在复杂的电信
设备的应用程序。 65纳米技术的300mm晶圆提供
制造和支持高容量的晶圆产能在多个
生产基地。
▼
65纳米CMOS标准单元
65nm工艺相比，相同设计的90纳米
SRAM
6.3mm
逻辑
类似物
I / O
外设
CORE
逻辑： 4Mgate （使用率60 ％ ）
宏： 2Mgate （ SRAM ： 0.5M位， PLL等）
I / O
外设
60 ％面积
减少
SRAM
4.9mm
逻辑
类似物
特定网络阳离子
内存宏和编译器
1 RW SRAM在16K ×40位的最大值。组态
2 RW SRAM的4K ×18位的最大值。组态
锁相环
模拟：高达3.2GHz
DLL
I / O ：高速接口和传统的IO
2.5V和3.3V LVCMOS
P- CML ， LVDS ， SSTL ， HSTL
PCI Express中， S- ATA ， DDR ， USB ， DDR ， HDMI ， CDR
3.125Gbps的XAUI ， SFI ， SPI
混合信号宏
ADC
8位54MS / s的
8位110毫秒/秒
10位1MS / s的
10位为33ms /秒
10位1110MS /秒
12位80MS / s的双
SoC的IP核
网络和通信
PCI - Express链路& PHY ， S- ATA连接& PHY ， SPI4 ，
10/100/1000以太网
▼
处理器和DSP
ARM7 ， 9 ， 11 ， ARC ， Tensilica公司
标准。总线控制器&总线桥
USB2.0设备/主机控制器& PHY ， PCI控制器，
SD / CF卡，如果I2C ， UART
,
多媒体接入
HDMI链接& PHY ， JPEG ， NTSC / PAL ， DES / AES加密
内存控制器
移动DDR ， DDR2 / 3 ， FCRAM ， SDRAM
DAC
8位300kS / s的
8位1MS / s的
10位300kS / s的
10位1MS / s的
10位40MS / s的
10位54MS / s的
10位110毫秒/秒
富士通微电子美国有限公司。
公司总部
1250 E.阿尔克大道， M / S 333 ，桑尼维尔，CA 94085-5401
联系电话： （ 800 ） 866-8608传真： （ 408 ） 737-5999
电子邮件： inquiry@fma.fujitsu.com网站： http://us.fujitsu.com/micro
2008富士通微电子美国有限公司
所有公司和产品名称均为
其各自所有者的注册商标。
印在U.S.A. SMS- FS- 21293-3 / 2008
65纳米CMOS技术， CS200 / CS200A
描述
硅器件的小型化的进展，
富士通提供了最有竞争力的，世界级的
技术的ASIC和COT客户。富士通
65纳米技术已经通过时， 25％的缩水门
相比于90纳米技术。
富士通将开始带出接受的
科技在2006年初。
特点
在30nm的长门，只有75 ％的大小
CS100晶体管。
快20 30％的性能比90纳米
一代。
晶体管密度翻倍的比较
90纳米世代。
SRAM单元面积缩小50％，与比较
90纳米世代。
特定网络阳离子
65纳米（ CS200 ）
栅长
CORE VDD
栅氧化层厚度（物理）
栅极
源/漏电极
互连
金属1间距
间电介质
漏极电流增强
30nm
1.0V
1.1nm
镍硅/多晶硅
镍硅
11铜+ 1 -Al系
0.18m
多孔ULK （K = 2.25）
先进的压力控制
65纳米（ CS200A ）
50nm
1.2V
1.7nm
CoSi2薄膜/多晶硅
CoSi2
65纳米CMOS技术， CS200 / CS200A
技术一览
CS200A ：宽转速范围+低功耗
大
低功耗
阵容
CS200A
HS -TR
HS -TR
服务器/
网
STD -TR
UHS -TR
HV -TR
移动
计算
高端服务器
标准
VDD
UHS
HS
CORE
性病
LL
HVT
1.8V
2.5V
3.3V
3.3V的LVt
6T对称
技术科
CS200A
CS200
1.2V
x
x
x
x
x
x
x
x
0.535m2
1.0V
x
x
x
x
x
漏电流
STD -TR
数字消费
LL -TR
手机
高
性能
阵容CS200
UHS ：超高速， HS ：高速
STD ：标准， LL ：低漏电
I / O
SRAM
速度
快
0.595m2
富士通提供了两个系列的技术： CS200为
高端应用，例如高性能服务器CPU
芯片，并CS200A为低功耗或移动使用。
该CS200A技术，特别是提供了一种
种类繁多，从低泄漏晶体管（ LL ）
蜂窝手机的超高速（ UHS ）的
服务器或网络设备。客户可以混合使用
在一个芯片中的晶体管，以满足他们的需求。
65纳米系列产品包括低功耗
CS200A和高性能的CS200 ，给
客户可以灵活地选择适当的
技术来区分他们的产品。该个HVt
在CS200 （高Vth的晶体管）获得了更高的
性能。在I / O范围为1.8V至3.3V 。为
该CS200A ，1.8（ 2.5或3.3V ）的I / O晶体管可以是
嵌入在一个芯片上。 SRAM的存储单元的尺寸是
比0.6μm2少。
SPICE仿真的一些基准测试电路
表明，该新产品是2030％的速度比
以前的版本。伟大的演出
改进是富士通的先进技结果
术，这是为公司的发展
高性能服务器。的芯片尺寸
当使CS200只有60 ％ CS100 ，大小
相同规格的LSI ，它是4M门逻辑和2M
门宏。 （SRAM ： 0.5Mbit ，锁相环等）
CS200电路延迟性能（每门PS ）
CS200
CS100
逆变器
5.7
7.0
2输入与非
8.7
11.4
二输入NAND +200栅互连负载
23.1
30.8
降低延迟
77%
69%
67%
IP投资组合
富士通的代工服务提供广泛的IP
阵容强大，包括CPU内核，图像核心，
加密，接口控制器和高速I / O，
所有的65纳米ASIC准备。
富士通提供了一站式，交钥匙包装
服务，它包括包装设计，仿真，
组装和测试。封装选项包括
标准的BGA和倒装片BGA （ FC - BGA ） 。
富士通是公认的全球领导者
先进的封装技术，不断创新，专利
和制造技术。
富士通微电子美国有限公司。
公司总部
1250 E.阿尔克大道。加利福尼亚州桑尼维尔94088-3470
联系电话： （ 800 ） 866-8608传真： （ 408 ） 737-5999
电子邮件： inquiry@fma.fujitsu.com网站： http://us.fujitsu.com/micro
2005富士通微电子美国有限公司
所有公司和产品名称均为
其各自所有者的注册商标。
印在U.S.A. WFS- FS- 21139-9 / 2005
QQ：800888908 复制
