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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第635页 > CED01N6G
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
600V， 1A ，R
DS （ ON）
= 9.3 @V
GS
= 10V.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
CED01N6G/CEU01N6G
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
600
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
30
1
4
31
0.25
-55到150
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
3.5
50
单位
C / W
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
修订版1 2009.Jul 。
http://www.cetsemi.com
CED01N6G/CEU01N6G
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.5A
V
DS
= 300V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.6A
2
7.3
民
600
20
100
-100
4
9.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
6
V
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
210
55
25
20
11
26
18.5
7.2
0.7
4
10
S
pF
pF
pF
V
DD
= 300V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 10
26
14.3
33.8
24
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管特性及最大额定值
1
1.5
A
V
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
2
CED01N6G/CEU01N6G
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.0
V
GS
=10,8,7V
2.5
25 C
2.0
1.5
1.0
0.5
T
J
=125 C
24
0.0
1
2
3
4
5
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=4V
I
D
，漏电流（ A）
-55 C
6
7
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
240
200
160
120
80
40
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
I
D
=0.6A
V
GS
=10V
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
西塞
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
10
0
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250A
10
-1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CED01N6G/CEU01N6G
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=300V
I
D
=1A
10
1
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
10
0
100ms
1ms
10ms
DC
10
-1
0
1.5
3
4.5
6
7.5
9
10
-2
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
6
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DD
t
on
V
IN
V
GS
R
根
G
R
L
D
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
10%
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
-2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
方波脉冲持续时间（毫秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
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    CED01N6G
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