位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第614页 > TP80C251SB16 > TP80C251SB16 PDF资料 > TP80C251SB16 PDF资料1第35页
8XC251SA / SB / SP /平方米高性能CHMOS单片机
表18.非易失性存储器进行编程和验证特性研究
T
A
= 21 - 27°C ，V
CC
= 5V ，和V
SS
= 0 V （续）
T
AVQV
T
ELQV
T
EHQZ
T
GHGL
地址到数据有效
ENABLE低到数据有效
数据浮动启用后，
PROG ＃高到PROG ＃低
0
10
48T
OSC
48T
OSC
48T
OSC
s
8.0
勘误表
8.
9.
10.
有没有已知的勘误表本产品。
9.0
修订历史
在8XC251SA / SB / SP /平方米的这个（ -003 ）修订版
数据表包含产品信息
“ [M ] [C] '94 '95 C”作为顶面的最后一行
标记。该数据表取代了早期产品
信息。下面的变化出现在 -
003数据表：
1.
2.
3.
等待状态的操作中描述的实时
数据表。
内存映射保留位置新
定义和存储器映射，现在被称为
为“地址映射”。
AC特性已被更新。该
下面AC参数可更改：T
LLAX
,
T
RLRH
, T
WLWH
, T
LLRL
, T
RLDV
, T
RHDZ
1
, T
RHDZ
2
, T
RHLH
2
,
T
WHLH
, T
AVDV
1
, T
AVDV
2
, T
AVRL
, T
AVWL
1
, T
AVWL
2
,
T
QVWH
和叔
WHAX
.
直流特性进行了更新。该
下面的DC规格发生了变化：我
PD
马克斯，我
DL
典型的，我
DL
马克斯，我
CC
典型的，我
CC
马克斯。
我的
CC
与频率的关系曲线图也包括在内。
工艺信息不再包含在
数据表。
本节“编程和校验非
易失性存储器“已被删除。见
8XC251SA / SB / SP / SQ嵌入式单片机
控制器的用户手册。时间和Characteris-
抽动的编程和验证非易失
11.
12.
13.
记忆一直保留在本数据表。
签名字节的信息已被删除。
看到8XC251SA / SB / SP / SQ嵌入式
微控制器用户手册。
在数据表中的部分进行编号。
新的章节已经创建提供
更好的组织。其中包括“命名法
TURE “，”引脚“，”信号“，”地址映射“
“电气特性”，“热字符
开创性意义“，”非易失性存储器编程
和验证特性“ ， ”勘误表“，并
“修订历史记录”
增殖的选项和封装选项是
在该命名法部分。
的温度范围内被包含在Electri-
根据“工作CAL特性部分
条件“
总线时序图已经组织成
小节。
4.
5.
6.
7.
在8XC251SA / SB / SP /平方米的（ -002 ）修订
数据表包含产品信息
“ [M]。 [℃] 94 95 B”为顶侧的最后一行
标记。该数据表取代了早期产品
信息。下面的变化出现在 -
002数据表：
1.
2.
3.
一个修正PDIP图显示7页。
一个修正的公式来计算牛逼
LHLL
is
第17页上的说明。
该RD ＃ / PSEN ＃波形图 - 在改变
第25页URE 11 。
初步
35
