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8XC251SA / SB / SP /平方米高性能CHMOS单片机
7.2
编程和验证时序非易失性存储器
编程周期
P1, P3
地址（16位）
验证周期
地址
tAVQV
P2
数据以（ 8位）
TDVGL
TAVGL
TGHGL
TGHDX
TGHAX
数据输出
PROG ＃
TGLGH
TSHGL
EA ＃ / V
PP
12.75V
5V
TELQV
TEHSH
P0
模式（ 8位）
模式
A4128-01
1
2
3
4
5
TGHSL
TEHQZ
图21.时序非易失性存储器的编程和验证
表18.非易失性存储器进行编程和验证特性研究
T
A
= 21 - 27°C ，V
CC
= 5V ，和V
SS
= 0 V
符号
V
PP
I
PP
F
OSC
T
AVGL
T
GHAX
T
DVGL
T
GHDX
T
EHSH
T
SHGL
T
GHSL
T
GLGH
德网络nition
编程电压
编程电源电流
振荡器频率
地址设置到PROG ＃低
后PROG ＃地址保持
数据建立到PROG ＃低
后PROG ＃数据保持
使能高到V
PP
V
PP
安装程序PROG ＃低
V
PP
后PROG ＃持有
PROG ＃宽
4.0
48T
OSC
48T
OSC
48T
OSC
48T
OSC
48T
OSC
10
10
90
110
s
s
s
民
12.5
最大
13.5
75
6.0
单位
直流电压
mA
兆赫
34
初步
