TPC8012-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（F - MOSV ）
TPC8012-H
开关稳压器的应用
DC- DC转换器
单位：mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.28
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
1.35
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 200 V)
增强型： V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±30
1.8
7.2
1.9
单位
V
V
V
A
漏极功耗
W
JEDEC
JEITA
TO-92
―
2-6J1B
1.0
W
东芝
重量：1.3克（典型值）。
2.05
1.8
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-03-04
