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TPC8012-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
TPC8012-H
开关稳压器的应用
DC / DC转换器应用
单位:mm
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.28
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 1.35 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 200 V)
增强型: V
th
= 3.0 5.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
(t
=
10 s)
(注2A )
漏极功耗
(t
=
10 s)
(注2B )
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
重复性雪崩能量
(注2A ) (注4 )
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±30
1.8
7.2
1.9
单位
V
V
V
A
漏极功耗
W
JEDEC
JEITA
2-6J1B
1.0
W
东芝
重量: 0.085克(典型值)。
2.05
1.8
0.19
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注意:对于注释1至4中,参考下页。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2
3
4
1
2006-01-17
TPC8012-H
热特性
特征
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2A )
符号
R
第(章-a)的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2B )
R
第(章-a)的
125
° C / W
记号
(注5 )
TPC8012
H
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
注1 :
通道温度不应超过使用期间150℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
(a)
(b)
注3 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
1.0 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
1.8 A
注4 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 :
上的标记的左下表示引脚1 。
*
每周码: (三位数)
制造周
( 01年度的第一周,持续到52或53 )
制造年份
(日历年的最后一位数字)
2
2006-01-17
TPC8012-H
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
50
Ω
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
200 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
200
3.0
0.65
I
D
=
0.9 A
V
OUT
R
L
=
111
Ω
V
DD
160 V, V
GS
=
10 V,
I
D
=
1.8 A
典型值。
0.28
1.35
440
80
260
23
28
22
73
11
6
5
最大
±10
100
5.0
0.40
ns
nC
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
V
DD
100 V
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压(二极管)
脉冲
(注1 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
1.8 A,V
GS
=
0 V
典型值。
最大
7.2
1.5
单位
A
V
3
2006-01-17
TPC8012-H
I
D
– V
DS
5
15
10
8
7.6
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
5
15
4
8
10
7.6
I
D
– V
DS
7.3
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
7
(A)
7.3
7.0
I
D
3
I
D
漏电流
(A)
4
3
6.6
2
漏电流
2
6.6
1
6
1
6
VGS
=
5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
6
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1.0
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
5
(V)
V
DS
漏源电压
0.8
(A)
4
I
D
0.6
I
D
=
1.8 A
0.4
0.9
0.2
0.45
漏电流
3
2
Ta
= 55°C
100
1
25
0
0
2
4
6
8
10
0
0
3
6
9
12
15
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
(S)
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
|Y
fs
|
VGS
=
10 V
正向转移导纳
10
25
Ta
= 55°C
1
100
0.1
0.1
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2006-01-17
TPC8012-H
R
DS ( ON)
- TA
1
常见的来源
脉冲测试
0.8
10
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
(A)
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
0.6
ID
=
2.8A,5.5A,11A
反向漏电流
I
DR
10
1
4.5
0.4
VGS
=
10 V
0.2
3
1
VGS
=
0 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
10000
电容 - V
DS
5.0
V
th
- TA
V
th
(V)
栅极阈值电压
4.0
(PF )
1000
西塞
3.0
电容
C
科斯
100
CRSS
2.0
常见的来源
1.0
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
10
0.1
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
1
10
100
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
2.0
P
D
- TA
(1)
(1)设备安装在一
玻璃环氧树脂板(一)
(注2A )
( 2)设备安装在一
玻璃环氧基板(二)
(注2B )
动态输入/输出
特征
200
常见的来源
ID
=
1.8 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
(W)
(V)
P
D
1.6
160
VDS
16
漏极功耗
漏源电压
80 V
160 V
80
(2)
0.8
8
0.4
40
4
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
0
20
环境温度
Ta
(
°
C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
5
2006-01-17
栅源电压
1.2
t
=
10 s
V
DS
120
VDD
=
40 V
12
V
GS
(V)
TPC8012-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(F - MOSV )
TPC8012-H
开关稳压器的应用
DC- DC转换器
单位:mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.28
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| =
1.35
S( TYP 。 )
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (最大值) (V
DS
= 200 V)
增强型: V
th
= 3.0 5.0 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20千瓦)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
(t
=
10 s)
(注2A )
漏极功耗
(t
=
10 s)
(注2B )
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
重复性雪崩能量
(注2A ) (注4 )
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±30
1.8
7.2
1.9
单位
V
V
V
A
漏极功耗
W
JEDEC
JEITA
TO-92
2-6J1B
1.0
W
东芝
重量:1.3克(典型值)。
2.05
1.8
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注: (注1 ) (注2 ) (注3 ) (注4 )请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-03-04
TPC8012-H
热特性
特征
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2A )
符号
R
第(章-a)的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2B )
R
第(章-a)的
125
° C / W
记号
(注5 )
TPC8012
H
TYPE
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
25.4
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
25.4
0.8
(单位:毫米)
(a)
(b)
注3 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
1.0 mH的,R
G
=
25
W,
I
AR
=
1.8 A
注4 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 :
·
在标记的左下角显示引脚1 。
示批号。生产(年:生产年份的最后一个十进制数,月
制作:一月到十二月是由字母A ,分别表示为L)
2
2002-03-04
TPC8012-H
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
50
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
200 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
200
3.0
0.65
典型值。
0.28
1.35
440
80
260
23
28
22
73
11
6
5
最大
±10
100
5.0
0.40
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
W
S
I
D
=
0.9 A
V
OUT
R
L
=
111
W
& LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
100 V
-
V
DD
~
160 V, V
GS
=
10 V,
-
I
D
=
1.8 A
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压(二极管)
脉冲
(注1 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
1.8 A,V
GS
=
0 V
典型值。
最大
7.2
-1.5
单位
A
V
3
2002-03-04
TPC8012-H
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
4
2002-03-04
TPC8012-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(F - MOSV )
TPC8012-H
开关稳压器的应用
DC- DC转换器
单位:mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.28
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| =
1.35
S( TYP 。 )
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (最大值) (V
DS
= 200 V)
增强型: V
th
= 3.0 5.0 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20千瓦)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
(t
=
10 s)
(注2A )
漏极功耗
(t
=
10 s)
(注2B )
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
重复性雪崩能量
(注2A ) (注4 )
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±30
1.8
7.2
1.9
单位
V
V
V
A
漏极功耗
W
JEDEC
JEITA
TO-92
2-6J1B
1.0
W
东芝
重量:1.3克(典型值)。
2.05
1.8
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注: (注1 ) (注2 ) (注3 ) (注4 )请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-03-04
TPC8012-H
热特性
特征
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2A )
符号
R
第(章-a)的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2B )
R
第(章-a)的
125
° C / W
记号
(注5 )
TPC8012
H
TYPE
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
25.4
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
25.4
0.8
(单位:毫米)
(a)
(b)
注3 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
1.0 mH的,R
G
=
25
W,
I
AR
=
1.8 A
注4 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 :
·
在标记的左下角显示引脚1 。
示批号。生产(年:生产年份的最后一个十进制数,月
制作:一月到十二月是由字母A ,分别表示为L)
2
2002-03-04
TPC8012-H
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
50
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
200 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
200
3.0
0.65
典型值。
0.28
1.35
440
80
260
23
28
22
73
11
6
5
最大
±10
100
5.0
0.40
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
W
S
I
D
=
0.9 A
V
OUT
R
L
=
111
W
& LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
100 V
-
V
DD
~
160 V, V
GS
=
10 V,
-
I
D
=
1.8 A
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压(二极管)
脉冲
(注1 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
1.8 A,V
GS
=
0 V
典型值。
最大
7.2
-1.5
单位
A
V
3
2002-03-04
TPC8012-H
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
4
2002-03-04
TPC8012-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(F - MOSV )
TPC8012-H
开关稳压器的应用
DC- DC转换器
单位:mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.28
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| =
1.35
S( TYP 。 )
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (最大值) (V
DS
= 200 V)
增强型: V
th
= 3.0 5.0 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20千瓦)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
(t
=
10 s)
(注2A )
漏极功耗
(t
=
10 s)
(注2B )
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
重复性雪崩能量
(注2A ) (注4 )
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±30
1.8
7.2
1.9
单位
V
V
V
A
漏极功耗
W
JEDEC
JEITA
TO-92
2-6J1B
1.0
W
东芝
重量:1.3克(典型值)。
2.05
1.8
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注: (注1 ) (注2 ) (注3 ) (注4 )请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-03-04
TPC8012-H
热特性
特征
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2A )
符号
R
第(章-a)的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2B )
R
第(章-a)的
125
° C / W
记号
(注5 )
TPC8012
H
TYPE
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
25.4
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
25.4
0.8
(单位:毫米)
(a)
(b)
注3 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
1.0 mH的,R
G
=
25
W,
I
AR
=
1.8 A
注4 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 :
·
在标记的左下角显示引脚1 。
示批号。生产(年:生产年份的最后一个十进制数,月
制作:一月到十二月是由字母A ,分别表示为L)
2
2002-03-04
TPC8012-H
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
50
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
200 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.9 A
200
3.0
0.65
典型值。
0.28
1.35
440
80
260
23
28
22
73
11
6
5
最大
±10
100
5.0
0.40
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
W
S
I
D
=
0.9 A
V
OUT
R
L
=
111
W
& LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
100 V
-
V
DD
~
160 V, V
GS
=
10 V,
-
I
D
=
1.8 A
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压(二极管)
脉冲
(注1 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
1.8 A,V
GS
=
0 V
典型值。
最大
7.2
-1.5
单位
A
V
3
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TPC8012-H
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
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