BLV6N60
N沟道增强型功率MOSFET
较高的雪崩能量
快速开关
简单的驱动要求
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
1.2Ω
Ω
6A
描述
这种先进的高电压MOSFET产生
上海贝岭采用的专有DMOS技术。
专为高效率开关模式电源
.
绝对最大额定值
(
T
C
=25
o
C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
Tj
T
SDG
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流（
T
C
=100
o
C
)
漏电流（脉冲）
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量（注2 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
价值
600
+ 20
6
3.8
24
125
1
490
6
12.5
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
o
o
工作结温范围
存储温度范围
C
C
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1
62.5
单位
℃/
W
℃/
W
-1-
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