BLV6N60
N沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(
T
C
= 25℃ ，除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
Tc=125℃
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
V
DD
=480V
I
D
=6A
V
GS
=10V
(note3)
V
DD
=300V
I
D
=6A
R
G
=25
note3
(note3)
V
DS
=25V
V
GS
=0V
F = 1MHz的
分钟。
600
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
5
-
-
-
35.5
8.1
14.1
14
19
40
26
1074
158
29
马克斯。
-
-
1.2
4
-
1
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
静态漏源导通电阻V
GS
= 10V ，我
D
=3A
正向跨导（注3 ）V
DS
= 15V ，我
D
=3A
I
GSS
Qg
QGS
QGD
t
（上）
t
r
t
（关闭）
t
f
西塞
科斯
CRSS
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r r
参数
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1020
2
马克斯。
6
24
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
连续源二极管的正向电流
脉冲源二极管的正向电流（注1）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=6A
V
GS
= 0V时，我
S
=6A(note3)
dI
F
/ DT = 100A / us的
注意：
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
(2)
L = 25mH ，攻速= 6A ， VDD = 50V ， RG = 25Ω ，盯着TJ = 25℃
（3 ）脉冲宽度
≤
300我们;占空比
≤
2%
-2-
共6页
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