添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第458页 > BU2522AF
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2522AF
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压
高
高速开关
应用
For
在水平偏转电路使用
的高分辨率显示器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基地集电极电流（ DC ）
基极电流峰值
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
价值
1500
800
10
25
6
9
45
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU2522AF
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6.0A ;我
B
=1.2A
7.5
13.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6.0A ;我
B
=1.2A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.3
0.25
2.0
0.25
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
10
h
FE-2
C
C
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
5
7
8
集电极电容
115
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2522AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2522AF
描述
·采用TO- 3PFa包
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转电路中使用
的高分辨率显示器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基地集电极电流（ DC ）
基极电流峰值
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
价值
1500
800
10
25
6
9
45
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6.0A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6.0A ;我
B
=1.2A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
5
民
800
7.5
BU2522AF
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
C
典型值。
最大
单位
V
13.5
5.0
1.3
0.25
2.0
0.1
10
7
115
8
V
V
V
mA
mA
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2522AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2522AF
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压
高
高速开关
应用
For
在水平偏转电路使用
的高分辨率显示器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
1500
800
10
25
6
9
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
开基
集电极电流峰值
基地集电极电流（ DC ）
基极电流峰值
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
45
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU2522AF
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6.0A ;我
B
=1.2A
7.5
13.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6.0A ;我
B
=1.2A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.3
0.25
2.0
0.25
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
C
C
固电
IN
直流电流增益
导½
半
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
10
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
5
集电极电容
昂
CH
MIC
ê SE
ND
O
OR
UCT
7
8
115
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2522AF
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2522AF
概述
新一代高电压，在一个塑料全包封套设计用于使用高速开关NPN晶体管
的高分辨率显示器的水平偏转电路。功能完善RBSOA性能，适用于
在个人电脑显示器的水平偏转电路使用。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
6.0
0.16
马克斯。
1500
800
10
25
45
5.0
-
0.22
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
F = 64千赫
I
CSAT
= 6.0 A; F = 64千赫
钉扎 - SOT199
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
孤立的情况下，
1
2
3
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B（ AV ）
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
800
10
25
6
9
150
6
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
35
马克斯。
2.8
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2522AF
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 1 ; V
CE
= 5 V
I
C
= 6 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
-
-
5
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
10
7
马克斯。
0.25
2.0
0.25
-
-
5.0
1.3
-
8
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（ 64 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CSAT
= 6.0 A; L
C
= 170
H;
C
fb
= 5.4 nF的;我
B（完）
= 0.7 A;
L
B
= 0.6
H;
-V
BB
= 2 V;
（ -dI
B
/ DT 3.33 A / μs的
典型值。
115
马克斯。
-
单位
pF
1.7
0.12
2.0
0.25
s
s
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2522AF
ICsat
+ 50v
100-200R
IC
90 %
横
tf
10 %
示波器
IB
t
ts
IBend
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
t
- IBM
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间的定义。
IC / MA
+ 150V，额定
调整ICsat
Lc
250
200
100
IBend
LB
T.U.T.
CFB
0
VCE / V
民
VCEOsust
-VBB
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间测试电路。
晶体管
IC
二极管
ICsat
VCC
t
LC
IB
我B端
t
5我们
6.5我们
美国16
IBend
LB
T.U.T.
CFB
VCL
-VBB
VCE
t
如图3所示。开关时间波形（ 64千赫） 。
图6 。测试电路RBSOA 。 V
CC
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 400
H; V
CL
≤
1500 V ; L
B
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF的;我
B
（完） = 1.6 - 2 A
1997年9月
3
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2522AF
100
h
FE
TJ = 85℃
TJ = 25℃
TJ = -40℃
BU2522A
1.2
1.1
1
VBESAT / V
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2522A
10
0.9
0.8
0.7
IC =
7A
6A
5A
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1 1.2 1.4 1.6 1.8
IB / A
2
1
0.01
0.6
0.1
1
IC / A
10
100
图7 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
V
CE
= 5 V
图10 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
P合计/ W
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
VBESAT / V
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2522A
BU2522AF/DF/AX/DX
100
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
10
IC / IB =
3
5
1
0.1
1
IC / A
10
0
0.5
1
IB / A
1.5
2
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
图11 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
POFF = F （I
B
） ;参数I
C
= 6 A; F = 64千赫
BU2522AF
10
VCESAT / V
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2522A
4
3.5
3
2.5
2
TS ， TF /美
1
IC / IB = 5
0.1
3
IC =
6A
5A
1.5
1
0.5
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
0.01
0.1
1
IC / A
10
100
1 1.2 1.4 1.6 1.8
IB / A
2
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
图12 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
） ;参数I
C
= 6A ;牛逼
j
= 85C;
F = 64千赫
1997年9月
4
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2522AF
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
IC / A
100
BU2520AF
TP =
ICM
= 0.01
30美
儿童发展中心
10
100美
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图13 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
第Z / （K / W）
P合计
1
10
1毫秒
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
10毫秒
DC
P
D
t
p
D=
t
p
T
0.1
0.01
D=0
0.001
1E-06
0.01
T
t
1
10
100
1000
VCE / V
1E-04
1E-02
T / S
1E+00
图14 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图16 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
疾病预防控制中心
＆放大器;我
CM
= F（V
CE
); I
CM
单脉冲;参数t
p
第二击穿限制温度的独立。
安装有散热化合物。
IC / A
30
BU2522AF
20
10
0
0
500
VCE / V
1000
1500
图15 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
JMAX
1997年9月
5
启1.400
查看更多BU2522AFPDF信息
推荐型号
BQ4845P-
BK/AGC2
B43584A4129M000
BFG520W/X
BZX584C10-02V
BLV6N60
B37550K5102K070
B82791-G2251-N20
BR4361F
BS62LV2008SC-55
BZD27C68P-GS08
B82432T1684K000
BZD27C100P
BZD27-C100P
BF904
B43504B9397M000
BQ2056PN
BH616UV8010DIG70
BL-PMRG-SJS
B37872K1473K060
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BU2522AF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
21+
10000
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
1926+
9852
TO-3P
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
18+
16000
TO-3PF
深圳市格雷迪电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ：962143175 复制

电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
24+
32883
TO-3P
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
TO
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
24+
8640
TO-3PF
全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
1922+
9825
TO-3PF
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
BU2522AF
PHILIPS
13+
25800
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BU2522AF
PHILIPS
21+22+
27000
TO-3PF
原装正品
深圳市金芯阳科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316406779 复制
电话：075584505750
联系人：刘生
地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
BU2522AF
PHILIPS/飞利浦
22+
18260
TO-3P
原装代理现货，价格最优
查询更多BU2522AF供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！