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bq24730
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SLUS695 - 2006年3月
设备信息（续）
终端功能（续）
终奌站
号
名字
描述
电池系统开关驱动器输出。栅极驱动的电池系统负载BAT PMOS功率FET隔离
系统从所述电池，以防止电流从所述系统向电池，同时允许一个低阻抗路径
从电池到系统并同时排出电池组向系统负载供电。该引脚直接连接到门
输入BAT PMOS功率FET 。连接在FET的系统负载的电压节点的源。连接
场效应晶体管在电池的漏包正节点。将一个10 kΩ电阻从大门到BAT源
FET保持FET关断时，有没有电源IC建议。一个可选的电容放在了
栅极到源极缓慢下降的切换时间。内部栅极驱动器是不对称的，允许快速关断
和慢关断除了内部断裂前先逻辑相对于ACDRV 。
电池组的电池选择逻辑输入。逻辑低（ LO）输入程序3芯锂离子电池的输出电压（ 12.6 V） 。逻辑高（ HI ）
输入程序4芯锂离子电池的输出电压（ 16.8 V）
充电状态，开漏输出。逻辑低（ LO ）输出指示充电器上。逻辑高（ HI ）输出指示
控制器不充电。一个10 kΩ的上拉电阻到主机控制器供电轨是必要的。
电源地。接地连接于所述高电流功率转换器的节点。只有连接到AGND和GND
通过连接到集成电路下方的PowerPAD 节点。
PWM低侧驱动器输出。直接连接至低侧NMOS功率FET的栅极与短迹线。
低侧驱动器的栅极电压调节器和源的高边驱动器的自举电压。添加一个1 μF陶瓷电容
从REGN针到PGND引脚，靠近IC 。放置一个小信号肖特基二极管从REGN到BTST的引导
电压。
同步降压阶段节点。直接连接到高边NMOS FET的源极与一短迹线。这
节点是高侧FET ，低边FET和输出电感器之间的公共连接。连接一个0.1 μF
自举陶瓷电容BTST至PH 。
PWM高侧驱动器输出。直接连接到高侧NMOS功率FET的栅极与短迹线。
高侧FET的自举输入引脚。连接至自举电容的积极的一面。连接一个0.1 μF自举
电容从BTST引脚到PH节点。另外，与连接到REGN阳极连接一个自举二极管
销和连接到所述BTST销阴极。一个可选的4.7 Ω - 15 Ω串联电阻放在BTST之间
销和自举二极管/电容路口减速接通高侧FET的时间，减少振铃
由于高的dv / dt的相位节点。
IC电源正电源。直接连接到高侧NMOS功率FET的漏极。一个0.1 μF的去耦
陶瓷电容从PVCC建议PGND 。
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BATDRV
32
33
34
35
36
细胞
STAT
保护地
LODRV
REGN
37
38
PH
HIDRV
39
BTST
40
PVCC
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1) (2)
针
ACN ， ACP ， PVCC ， ACDRV ，西恩， SYNP ， SRP ， SRN ， BATDRV ，
BAT ， BYPASS ， SYS ， VCC
PH
电源电压范围
LODRV ， REGN ， FBO ， EAI ， EAO ， ACGOOD ， ISYNSET ， CHGEN ，
Vref5相， ACDET ， IBAT ， STAT ， ACSET ， AIRDET ， DPMDET ，
LBSET ， IADSLP ， LOWBAT ， IADAPT ， SRSET ，细胞
BTST ， HIDRV （相对于AGND和PGND ）
最大差分电压
最大电压差
工作环境温度范围（T
A
)
最高结温（T
J
)
存储温度范围（T
英镑
)
(1)
(2)
AGND ， PGND ， AGND ， DGND
ACP- ACN ， SRP- SRN和SYNP ，西恩
值/单位
0.3 V至30 V
-1 V至30 V
-0.3 V至7 V
-1 V至36 V
0.3 V至0.3 V
0.6 V
-40 ° C至85°C
150°C
-65_C到150_C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于AGND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。请教
数据书热限制和包的考虑包装节。
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