【bq24730www.ti.comSLUS695 - 2006年3月先进的多化工品和多节同步开关模式】,IC型号BQ24730RGFT4,BQ24730RGFT4 PDF资料,BQ24730RGFT4经销商,ic,电子元器件-51电子网

bq24730

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SLUS695 - 2006年3月

先进的多化工品和多节同步开关模式

充电器和系统电源选择器

特点

高效率：

- NMOS- NMOS同步降压转换器

与固定频率300KHz

- 增强型6 -V驱动器电源电压和

99.5％的最大占空比

高电压和电流调节

准确度（ 0 ° C- 85°C ）：

- 0.4 ％充电电压调节准确度

- 4 ％，充电电流调节精度

- 4 ％适配器电流调节精度

动态电源管理（ DPM ）

3节或4节锂离子电池的电压选择

可编程电池充电电流，并

AC适配器电流通过电阻器

2％的精确电流检测放大器

这两种输入电流和充电电流

(0°C-125°C)

输入电流检测放大器可启用

与无适配器可感应电池放电

当前

调节充电电流降到0 -V

电池电压

AC适配器工作范围8 V- 24 V

内部软启动

状态指示灯：

- 交流适配器

低电量指示灯

- DPM调节环路激活指示灯

反向电池以放电适配器

保护

电池/适配器系统电源选择器

功能

充电过电流保护

可提供40引脚5x7mm QFN封装

应用

便携笔记本电脑

便携式DVD播放器

Webpads ， PC片

描述

该bq24730是一款高效率同步电池

包充电器为便携式高集成度

应用程序。该装置实现了高

性能模拟前端，它连接到所述

系统电源管理微控制器通过

硬件接口。

动态电源管理（ DPM ）功能

修改依赖于系统中的充电电流

负载条件下，避免AC适配器过载。

高精度电流检测放大器实现

的任一所述充电电流的精确测量或

AC适配器电流，允许终止

nonsmart包和监控整个系统的

力。输入电流读出放大器可以是

不带转接器来检测电池放电启用

电流。

集成的功能，如充电器软启动，充电

过电流保护，并且集成电路的温度监测

提供保护的第二级中，除了

包和系统保护功能。

LODRV

HIDRV

REGN

保护地

PVCC

BTST

CHGEN

ACDRV

ACN

ACP

ACDET

ACSET

AIRDET

绕行

DPMDET

LBSET

EAO

EAI

STAT

细胞

BATDRV

SYS

SYNP

西恩

SRP

SRN

BAT

SRSET

IBAT

IADAPT

LOWBAT

bq24730

（ TOP VIEW ）

VCC

ACGOOD

AGND

VREF5

GND

FBO

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

ISYNSET

IADSLP

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

产品型号

包

40针

5× 7毫米QFN

电池短路

（ VERY LOW BATTERY

电压）操作

充电电流下降到BAT = 0 V

订购数量

（磁带和卷轴）

bq24730RGFR

bq24730RGFT

QUANTITY

3000

250

bq24730

封装热性能数据

包

(1)

RGF

(2)

(1)

(2)

36°C/W

≤

40°C

额定功率

2.36 W

降额因子

上述牛逼

= 25°C

0.028 W / ℃，

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

该数据是基于使用JEDEC高K板和裸露的芯片焊盘连接到电路板上的铜垫。这是

经由矩阵连接到接地平面通过一个2×3 。

设备信息

终端功能

终奌站

号

名字

CHGEN

描述

充电使能逻辑电平低输入。逻辑高电平（ HI）的CHGEN销禁用充电器。逻辑上的低（ LO ）

CHGEN引脚使充电器。

AC适配器连接到系统的开关驱动器输出。直接连接到ACFET PMOS功率FET的栅极。连接

FET源极与输入电流检测电阻的PVCC节点和负侧。所述FET的漏极连接到

系统负载侧。建议将10 kΩ电阻与栅极到AC FET的源极，以保持FET关闭

当没有电源IC 。如果需要的话，可选的电容器从栅极到ACFET的源是用来帮助

减慢ON和OFF时间。内部栅极驱动器是不对称的，允许快速关断和慢关断

除了内部先开后合使逻辑相对于BATDRV 。

适配器电流检测电阻器，负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在此引脚与AGND

对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在ACN到ACP提供

差模滤波。

适配器电流检测电阻，积极投入。把这个输入电流检测电阻的接头一侧。

建议放置一个0.1μF的陶瓷电容ACP至AGND ，以提供共模滤波。

AC适配器检测感应电压输入。从适配器输入端连接一个分压器电阻（旁路FET前）

到ACDET ，并从ACDET到AGND ，另一个电阻以编程适配器检测2.4 V. ACDET门槛

阈值应大于最小适配器电压高于最大电池稳压电压和更低。

AC适配器（输入）电流限制设置。程序的输入电流限制由ACSET电阻到AGND 。输入电流

成比例的电流输出ACSET销。

航空模式程序引脚。由输入电压之间的电阻分压器程序航空公司模输入电压（前

旁路FET）和AGND 。 Vref5相稳压器和系统电源选择器（旁路引脚和ACDRV针）已启用

500毫秒后AIRDET电压高于1.2 V充电被禁止，直到AIRDET电压后500毫秒高于1.2

V和8毫秒后ACDET上升到高于2.4V。

栅极驱动适配器输入旁路开关，以防止反向放电的电池输入。连

该引脚直接输入旁路PMOS功率FET的栅极。 FET的漏极连接到该适配器

输入电压节点。 FET的源极连接到所述输入电流检测电阻的正节点。

建议将10 kΩ电阻与栅极到旁路FET的源时保持FET关断有

没有电源IC 。可选的电容器可以放置从栅极到源极缓慢下降的切换

次。调整导通和关断时间通常不需要此FET 。

动态电源管理（ DPM ）输入电流回路活跃，开漏输出状态。逻辑低（ LO ）表示输入

当前正在通过减小充电电流的限制。一个10 kΩ的上拉电阻，以主控制器供电轨

需要的。

ACDRV

ACN

ACP

ACDET

ACSET

AIRDET

绕行

DPMDET

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设备信息（续）

终端功能（续）

终奌站

号

名字

LBSET

EAO

EAI

FBO

AGND

VREF5

VCC

描述

低电池电压阈值设定。从LBSET电阻节目放电的电池阈值AGND 。该

耗尽电压阈值是成比例的LBSET引脚上的电压。

误差放大器的输出进行补偿。将反馈补偿元件从EAO到EAI 。通常情况下，

一个电容并联的串联电阻和电容。见赔偿计算程序。该节点是

内部相比于PWM锯齿振荡器。

误差放大器负输入端的赔偿，也将反馈补偿元件，从EAI到

EAO 。连接输入补偿元件从FBO到EAI 。见赔偿计算程序。

反馈输出赔偿。连接输入补偿元件从FBO到EAI 。通常情况下，一个

电阻器与一个串联的电阻器和电容器并联连接。见赔偿计算程序。

模拟地。接地连接于低电流敏感的模拟信号和数字信号。只有连接到保护接地和

GND节点通过连接到IC下方的使用PowerPad 。

5V的稳定电压输出，用于内部偏压。用于指示适配器的现状，由于AC启用

检测到。连接一个1 μF陶瓷电容Vref5相引脚和AGND尽可能靠近IC放置。

IC模拟正电源。连接到适配器的输入，或二极管，或通过把一个二极管从适配器输入和一个二极管

从电池到VCC 。把一个1 μF陶瓷电容， VCC连接到AGND，尽可能靠近IC放置。

适配器输入电流检测放大器休眠模式使能逻辑输入。逻辑低（ LO ）输入关断时输入电流

读出放大器（与进入睡眠模式），当输入电压低于AIRDET阈值。逻辑高（ HI ）输入

保持-对输入电流读出放大器，当输入电压低于阈AIRDET和VCC被保持

以上7五这允许测量电池的放电电流时的放电路径包括两端的电压

ACP- ACN 。

地面上。只有连接到IC下方的使用PowerPad 连接到AGND和PGND节点。

AC适配器电压检测及以上AIRDET阈值时，漏极开路输出。逻辑高（ HI ）输出指示

输入电压高于AIRDET阈值。一个10 kΩ的上拉电阻到主机控制器供电轨是必要的。

节目电流阈值同步非同步调节过渡。将来自ISYNSET一个电阻

AGND编程充电暗流门槛，迫使非同步转换器工作在低输出

当前，防止负面电感电流。门槛应该从电感电流纹波被设置为全部价值

电感电流纹波。

低电池电压，漏极开路输出。逻辑低（ LO） LOWBAT引脚上输出指示BAT电压低于

LBSET耗尽的电池阈值。一个10 kΩ的上拉电阻到主机控制器供电轨是必要的。

适配器电流检测放大器的输出。电流检测放大器的输出电压为20倍的电流检测电阻

差分电压（ ACP - ACN ）。将来自IADAPT一个0.1 μF的电容到AGND用于过滤输出纹波。

（可选），输出电容为额外的过滤后添加一个RC滤波器。

电池充电电流检测放大器的输出。电流检测放大器的输出电压为20倍的电流检测电阻

差分电压（ SRP - SRN ）。将来自IBAPT一个0.1 μF的电容到AGND用于过滤输出纹波。（可选）

输出电容进行额外的过滤后加一个RC滤波器。

电池充电电流限制设置。方案的电池充电电流限制由SRSET电阻到AGND 。电池

充电电流成正比的电流输出SRSET销。

电池电压远端采样。直接从电池正极端子连接Kelvin检测跟踪的BAT

针准确地检测电池组电压。将来自英美烟草一个0.1 μF的电容到AGND靠近IC过滤

高频噪声。

充电电流检测电阻器，负输入。连接到充电电流检测电阻器的负端子。

或者，从SRN添加一个0.1μF的陶瓷电容靠近IC到AGND的共模滤波器。

充电电流检测电阻，积极投入。连接到充电电流检测电阻器正端。放置

0.1 μF陶瓷电容SRP附近的IC到AGND的共模滤波器建议。或者，放置一个

0.1 μF陶瓷电容SRP附近的IC到SRN为差模滤波。

充电过流和欠充电消极意义上的输入。连接到充电电流检测电阻

负极端子。如果检测相同的检测电阻的干线网络，用户可以直接连接到SRN针，无

还需要进一步的滤波电容。感测不同的检测电阻，从西恩加0.1 μF陶瓷电容

AGND附近的IC，适用于共模滤波器。

充电过流和欠充电消极意义上的输入。连接到充电电流检测电阻

正极端子。如果感测相同的感测电阻器的SRP ，用户可以直接连接到SRP的销，并没有

还需要进一步的滤波电容。感测不同的检测电阻，从SYNP加0.1 μF陶瓷电容

AGND附近的IC，适用于共模滤波器，并放置一个0.1μF的陶瓷电容SYNP到西恩附近的集成电路

差模滤波器。

系统负载，电压检测。直接连接到系统负载节点和BAT PMOS功率FET的漏极。

IADSLP

GND

ACGOOD

ISYNSET

LOWBAT

IADAPT

IBAT

SRSET

BAT

SRN

SRP

西恩

SYNP

SYS

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设备信息（续）

终端功能（续）

终奌站

号

名字

描述

电池系统开关驱动器输出。栅极驱动的电池系统负载BAT PMOS功率FET隔离

系统从所述电池，以防止电流从所述系统向电池，同时允许一个低阻抗路径

从电池到系统并同时排出电池组向系统负载供电。该引脚直接连接到门

输入BAT PMOS功率FET 。连接在FET的系统负载的电压节点的源。连接

场效应晶体管在电池的漏包正节点。将一个10 kΩ电阻从大门到BAT源

FET保持FET关断时，有没有电源IC建议。一个可选的电容放在了

栅极到源极缓慢下降的切换时间。内部栅极驱动器是不对称的，允许快速关断

和慢关断除了内部断裂前先逻辑相对于ACDRV 。

电池组的电池选择逻辑输入。逻辑低（ LO）输入程序3芯锂离子电池的输出电压（ 12.6 V）。逻辑高（ HI ）

输入程序4芯锂离子电池的输出电压（ 16.8 V）

充电状态，开漏输出。逻辑低（ LO ）输出指示充电器上。逻辑高（ HI ）输出指示

控制器不充电。一个10 kΩ的上拉电阻到主机控制器供电轨是必要的。

电源地。接地连接于所述高电流功率转换器的节点。只有连接到AGND和GND

通过连接到集成电路下方的PowerPAD 节点。

PWM低侧驱动器输出。直接连接至低侧NMOS功率FET的栅极与短迹线。

低侧驱动器的栅极电压调节器和源的高边驱动器的自举电压。添加一个1 μF陶瓷电容

从REGN针到PGND引脚，靠近IC 。放置一个小信号肖特基二极管从REGN到BTST的引导

电压。

同步降压阶段节点。直接连接到高边NMOS FET的源极与一短迹线。这

节点是高侧FET ，低边FET和输出电感器之间的公共连接。连接一个0.1 μF

自举陶瓷电容BTST至PH 。

PWM高侧驱动器输出。直接连接到高侧NMOS功率FET的栅极与短迹线。

高侧FET的自举输入引脚。连接至自举电容的积极的一面。连接一个0.1 μF自举

电容从BTST引脚到PH节点。另外，与连接到REGN阳极连接一个自举二极管

销和连接到所述BTST销阴极。一个可选的4.7 Ω - 15 Ω串联电阻放在BTST之间

销和自举二极管/电容路口减速接通高侧FET的时间，减少振铃

由于高的dv / dt的相位节点。

IC电源正电源。直接连接到高侧NMOS功率FET的漏极。一个0.1 μF的去耦

陶瓷电容从PVCC建议PGND 。

BATDRV

细胞

STAT

保护地

LODRV

REGN

HIDRV

BTST

PVCC

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1) (2)

针

ACN ， ACP ， PVCC ， ACDRV ，西恩， SYNP ， SRP ， SRN ， BATDRV ，

BAT ， BYPASS ， SYS ， VCC

电源电压范围

LODRV ， REGN ， FBO ， EAI ， EAO ， ACGOOD ， ISYNSET ， CHGEN ，

Vref5相， ACDET ， IBAT ， STAT ， ACSET ， AIRDET ， DPMDET ，

LBSET ， IADSLP ， LOWBAT ， IADAPT ， SRSET ，细胞

BTST ， HIDRV （相对于AGND和PGND ）

最大差分电压

最大电压差

工作环境温度范围（T

)

最高结温（T

)

存储温度范围（T

英镑

)

(1)

(2)

AGND ， PGND ， AGND ， DGND

ACP- ACN ， SRP- SRN和SYNP ，西恩

值/单位

0.3 V至30 V

-1 V至30 V

-0.3 V至7 V

-1 V至36 V

0.3 V至0.3 V

0.6 V

-40 ° C至85°C

150°C

-65_C到150_C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有的电压都是相对于AGND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。请教

数据书热限制和包的考虑包装节。

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推荐工作条件

针

ACN ， ACP ， PVCC ， ACDRV ， SRP ， SRN ， BATDRV ， BAT ，

BYPASS ， SYS ， VCC ，西恩， SYNP

电源电压范围

LODRV ， REGN ， Vref5相

FBO ， EAI ， EAO ， ACGOOD ， ISYNSET ， CHGEN ， ACDET ， STAT ，

ACSET ， AIRDET ， DPMDET ， LBSET ， IADSLP ， LOWBAT ，

SRSET ，细胞， IBAT ， IADAPT ， ACDET

BTST ， HIDRV

最大差分电压

最大电压差

结温范围（T

)

存储温度范围（T

英镑

)

AGND ， PGND ， AGND ， DGND

ACP- ACN ，西恩 - SYNP ， SRP- SRN

-40

-55

民

–0.5

喃最大

6.5

5.5

0.5

125

150

单位

°C

电气特性

8 VDC

≤

（ Vcc的）

≤

24伏， 0 ℃，

≤

125°C ，相对于AGND所有电压（除非另有说明）

参数

电池电压调节

（ BAT_ICR ）

VBAT输入电压范围

电池电压调节精度

（ BAT ）

12.6 V和16.8 V

细胞= 0

（ VBATREG ）

BAT的电压调节范围

细胞= 1

16.8

= 0°C – 85°C

= 0°C – 125°C

–0.4%

–0.5%

12.6

PVCC

0.4%

0.5%

测试条件

民

典型值

最大

单位

PWM AC适配器输入电流调节， DPM （动态电源管理）

（ IREG_DPM ）

（ ACSET ）

ACP- ACN差分电压范围

对于输入电流调节

在ACSET引脚电压

ACSET增益

= 0 °C - 85°C ，V

≥

（ MIN）

≥

（ BAT ）

+ V

（DO- MAX）的

(1)

在差别阈限范围内，V

（ IREG ）

不包括错误引起的

检测电阻，R的公差

（SNS）

（ ACP ）

– V

（ ACN ）

= 40毫伏

（ 4 A和10毫欧）

（ ACP ）

– V

（ ACN ）

= 20毫伏

（ 2 A和10毫欧）

（ ACP ）

– V

（ ACN ）

= 5毫伏

（ 0.5 A有10毫欧）

–3%

–25%

（ IREG_DPM ）

= V

（ ACP ）

- V

（ ACN ）

1000

25%

200

V / A

电流调节精度

PWM电池充电电流调节

（ IREG_CHG ）

（ SRSET ）

SRP- SRN差分电压范围

对于输入电流调节

在SRSET引脚电压

SRSET增益

= 0 °C - 85°C ，V

≥

（ MIN）

≥

（ BAT ）

+ V

（DO- MAX）的

(1)

在差别阈限范围内，V

（ IREG ）

不包括错误引起的

检测电阻，R的公差

（SNS）

（ SRP - SRN ）

= 40毫伏

（ 4 A和10毫欧）

（ SRP - SRN ）

= 20毫伏

（ 2 A和10毫欧）

（ SRP - SRN ）

= 5毫伏

（ 0.5 A有10毫欧）

–3%

–25%

（ IREG_CHG ）

= V

（SRP）

- V

（ SRN ）

1000

25%

200

V / A

电流调节精度

充电电流检测放大器 - IBAT放大器

SRP ， SRN共模输入

电压范围

（ IBAT ）

IBAT输出电压范围

（ IBAT ）

电压增益

（ IBAT ）

= V

（ SRP ， SRN ）

（ IBAT ）

（ BAT ）

> 2.5 V或V

（ BAT ）

＆ GT ; V

（ IBAT ）

+ V

（DO- MAX）（1）

（ IBAT ）

= V

（ IBAT ）

/ V

（ SRP ， SRN ）

（ SRP - SRN ）

= 40毫伏

（ 4 A和10毫欧）

充电电流检测放大器的输出电压V

（ BAT ）

> 2.5 V或V

（ BAT ）

＆ GT ;

电压精度

（ IBAT ）

+ V

（DO- MAX）（1）

（ SRP - SRN ）

= 20毫伏

（ 2 A和10毫欧）

（ SRP - SRN ）

= 5毫伏

（ 0.5 A有10毫欧）

（ BAT_LIM ）

IBAT输出电流限制

IBAT短接至AGND

–2%

–3%

–25%

4.5

2.5

25%

- MAX ）

3.5

V/V

(1)

（DO- MAX）的

被定义为最大压差电压。 V

（DO- MAX）的

= 1 V ，除非其他明智的规定。在实际应用中，V

（做

（SNS）

) + V

（ DSON_HIGH_SIDE_FET ）

+ V

（ DSON_BYPASS_FET ）

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