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分立半导体
数据表
BST100
P沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体， SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
描述
P沟道垂直D- MOS晶体管
的TO- 92变体的信封和意
对于在中继，高速的使用和
线路变压器驱动程序。
特点
非常低R
DS （ ON）
直接连接C-MOS
高速开关
无二次击穿
快速参考数据
漏源电压
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
漏源导通电阻
I
D
= 200毫安;
V
GS
= 10 V
转移导纳
I
D
= 200毫安;
V
DS
= 15 V
钉扎 - TO- 92 VARIANT
1
2
3
=源
- 门
=漏
Y
fs
典型值。
R
DS （ ON）
V
DS
±V
GSO
I
D
P
合计
BST100
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
典型值。
马克斯。
60 V
20 V
0.3 A
1 W
4,5
6
200毫秒
引脚配置
手册， halfpage
d
1
2
3
g
MAM144
s
注：不同的引脚配置。
Fig.1简化外形和符号。
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
漏源电压
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
漏极电流（峰值）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
存储温度范围
结温
热阻
从结点到环境（注1 ）
记
1.晶体管安装在印刷电路板上，最大值引线长度4毫米，安装垫漏极引线
分钟。为10mm× 10mm以下。
R
日J-一
=
V
DS
±
V
GSO
BST100
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
60 V
20 V
0.3 A
0.8 A
1 W
150
°C
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
65
到+ 150
°C
125 K / W
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
漏源击穿电压
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 48 V; V
GS
= 0
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
栅极阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏源导通电阻
I
D
= 200毫安;
V
GS
= 10 V
转移导纳
I
D
= 200毫安;
V
DS
= 15 V
输入电容在f = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
输出电容在f = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
反馈电容在f = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
的切换时间（参照图2和3）
I
D
= 200毫安;
V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0到10伏
t
on
t
关闭
典型值。
典型值。
C
RSS
典型值。
马克斯。
C
OSS
典型值。
马克斯。
C
国际空间站
典型值。
马克斯。
Y
fs
典型值。
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
V
GS （ TH）
分钟。
马克斯。
I
GSS
马克斯。
I
DSS
马克斯。
V
（ BR ） DSS
分钟。
BST100
60 V
1
A
100 nA的
1.5 V
3.5 V
4.5
6
200毫秒
55 pF的
70 pF的
30 pF的
45 pF的
8 pF的
12 pF的
4纳秒
20纳秒
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BST100
手册， halfpage
VDD }
50
V
手册， halfpage
10 %
输入
90 %
0V
10
V
ID
50
MBB689
10 %
产量
90 %
吨
花花公子
MBB690
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
手册， halfpage
V
10
3
MDA776
GS =
10
V
手册， halfpage
7.5
V
6
V
5
V
4.5
V
1
ID
MDA777
ID
（MA ）
(A)
0.8
0.6
10
2
0.4
0.2
10
0
4
6
8
10
12
14
16
导通电阻（ Ω ）
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
Fig.4
漏极电流与导通电阻。
T
j
= 25
°C;
典型值。
Fig.5
传输特性。
T
j
= 25
° ℃; -V
DS
= 10 V ;典型值。
1995年4月
5
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