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STD12NE06L
N - CHANNEL 60V - 0.09Ω - 12A TO- 251 / TO- 252
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD12NE06L
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
< 0.12
I
D
12 A
s
典型
DS （ ON）
= 0.09
DV dt能力EXCEPTIONAL /
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
面向应用
表征
加后缀“ T4 ”如需订购在磁带
& REEL
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
3
2
1
1
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
并不太重要，因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
直流电机控制（磁盘驱动器等）。
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
DPAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
T
ST克
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。工作结温
价值
60
60
±
20
12
8
48
35
0.23
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
12 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/9
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2000年1月
