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STD12NE06L

N - CHANNEL 60V - 0.09Ω - 12A TO- 251 / TO- 252

的STripFET 功率MOSFET

TYPE

STD12NE06L

s

s

s

s

s

V

DSS

60 V

R

DS （ ON）

< 0.12

I

D

12 A

s

典型

DS （ ON）

= 0.09

DV dt能力EXCEPTIONAL /

雪崩坚固的技术

100％的雪崩测试

面向应用

表征

加后缀“ T4 ”如需订购在磁带

& REEL

IPAK

TO-251

（后缀“-1” ）

3

2

1

1

3

描述

这是功率MOSFET的最新发展

意法半导体独有的“单一特征

尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁

STOR显示了极高的堆积密度低

导通电阻，崎岖雪崩特征

并不太重要，因此调整步骤一重

可标记制造重复性。

应用

s

直流电机控制（磁盘驱动器等）。

s

DC-DC & DC- AC转换器

s

同步整流

DPAK

TO-252

（后缀“ T4 ” ）

内部原理图

绝对最大额定值

SYMB OL

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

D

I

DM

()

P

合计

的dv / dt （

1

)

T

ST克

T

j

参数

漏源电压（V

GS

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在T

c

= 25

o

C

漏电流（连续）在T

c

= 100

o

C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

c

= 25

o

C

降额F演员

峰值二极管恢复电压斜率

存储牛逼emperature

马克斯。工作结温

价值

60

60

±

20

12

8

48

35

0.23

6

-65 175

175

(

1

) I

SD

≤

12 A， di / dt的

≤

200 A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

, T

j

≤

T

JMAX

单位

V

V

V

A

A

A

W

W /

o

C

V / ns的

o

o

C

C

1/9

（）脉冲宽度有限的安全工作区

2000年1月

STD12NE06L

热数据

R

THJ -case

R

THJ -amb

R

THC-汇

T

l

热阻结案件

热阻结到环境

热阻案例散热器

最大的铅温度F或焊接用途

最大

最大

牛逼YP

4.3

100

1.5

275

o

o

C / W

C / W

o

C / W

o

C

雪崩特性

Symbo升

I

AR

E

AS

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

j

MAX ）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

j

= 25

o

C，我

D

= I

AR

, V

DD

= 25 V)

最大值

12

45

单位

A

mJ

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

关闭

Symbo升

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试刀豆ditions

I

D

= 250

A

V

GS

= 0

分钟。

60

1

10

±

100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

A

nA

V

DS

=最大额定值

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0) V

DS

=最大额定值

门体漏

电流（V

DS

= 0)

V

GS

=

±

20 V

T

c

= 100 C

o

开（ *）

Symbo升

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（ 0：N ）

参数

栅极阈值电压V

DS

= V

GS

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

V

GS

= 5V

V

GS

= 10V

测试刀豆ditions

I

D

= 250

A

I

D

= 6 A

I

D

= 6 A

12

分钟。

1

典型值。

1.7

0.09

0.07

马克斯。

2.5

0.12

0.10

单位

V

A

V

DS

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

V

GS

= 10 V

动态

Symbo升

g

F小号

()

C

国际空间站

C

OS s

C

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试刀豆ditions

V

DS

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

I

D

=6 A

V

GS

= 0

分钟。

4

典型值。

7

700

100

30

1000

140

45

马克斯。

单位

S

pF

pF

pF

2/9

STD12NE06L

电气特性

（续）

接通

Symbo升

t

D（上）

t

r

Q

g

Q

gs

Q

gd

参数

开启时间

上升时间

总摹吃费

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试刀豆ditions

V

DD

= 30 V

I

D

= 8 A

R

G

= 4.7

V

GS

= 5 V

（见测试电路，图3 ）

V

DD

= 48 V

I

D

= 16 A

V

GS

= 5 V

分钟。

典型值。

17

38

12

6

6

马克斯。

25

50

16

单位

ns

ns

nC

nC

nC

关闭

Symbo升

t

R（ Voff时）

t

f

t

c

参数

关闭电压上升牛逼IME

秋季牛逼IME

交叉时间

测试刀豆ditions

V

DD

= 48 V

I

D

= 16 A

V

GS

= 5 V

R

G

= 4.7

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

9

18

30

马克斯。

12

25

45

单位

ns

ns

ns

源漏二极管

Symbo升

I

SD

I

SDM

()

V

SD

(

)

t

rr

Q

rr

I

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

I

SD

= 12 A

V

GS

= 0

70

0.13

4

I

SD

= 16 A

的di / dt = 100 A /

s

o

T

j

= 150 C

V

DD

= 25 V

（见测试电路，图5 ）

测试刀豆ditions

分钟。

典型值。

马克斯。

12

48

1.5

单位

A

A

V

ns

C

A

(

）脉冲：脉冲宽度= 300

S，占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

对于安全工作区

热阻抗

3/9

STD12NE06L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/9

STD12NE06L

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/9

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联系人：陈泽强

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VBSEMI

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23000

TO251

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ST

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ST

21+

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电话：0755-８２７８９２９６

联系人：朱先生／公司可以开13％的税

地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。

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ST

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16980

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电话：0755-83015506-23947236

联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

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ST

24+

9850

TO-252

官方授权代理商入驻

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

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