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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1217页 > SI9928DY
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
CH
l
20
r
DS （ ON）
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.7 V
0.11 @ V
GS
= –4.5 V
0.15 @ V
GS
= –3.0 V
0.19 @ V
GS
= –2.7 V
I
D
(A)
"5.0
"4.2
"3.6
"3.4
"2.9
"2.6
P沟道
P CH
l
–20
20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"12
"5.0
"4.0
"10
2.0
2.0
1.3
P沟道
–20
"12
"3.4
"2.8
"10
–2.0
2.0
1.3
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= – 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.2 A
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
I S
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= –
3.0
V，I
D
= –2.0 A
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= –1.0 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
V
DS
= -9 V，I
D
= –3.2 A
I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -2.0 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
A
–10
0.041
0.087
0.052
0.120
0.060
0.135
13
S
8
0.9
–0.9
1.2
V
–1.2
0.05
0.11
0.06
0.15
0.08
0.19
W
0.8
–0.8
1.2
V
–1.1
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
l
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
45V
50
P沟道
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
A
45V
P沟道
V
DD
= -6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
-1 V
根
-4 = 5 V ，R
G
= 6
W
A,
–4.5 V
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -2.0 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
10
8
2.6
nC
C
1.6
3.7
3.5
13
22
9
43
30
35
9
20
100
75
30
40
40
80
60
ns
70
30
40
150
100
20
20
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5.5, 5, 4.5, 4, 3.5 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
16
20
N沟道
传输特性
12
12
8
2.5 V
8
T
C
= 125_C
4
4
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
25_C
–55_C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
V
GS
= 2.7 V
V
GS
= 3 V
- 电容（pF ）
1600
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
1200
800
C
国际空间站
400
C
RSS
C
OSS
0.02
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
0
–50
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A
1.2
0.8
0.4
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.200
I
D
= 5 A
0.150
0.250
I
D
= 1 A
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.100
0.050
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
1.0
25
单脉冲功率
0.5
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
A
20
0.0
功率（W）的
15
10
–0.5
5
–1
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5, 4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
10
P沟道
传输特性
6
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
–55_C
0
2
2, 1 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.25
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.20
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.7 V
V
GS
= 3 V
0.15
1500
1000
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
500
C
RSS
C
OSS
0.05
0
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
4
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.2 A
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.2 A
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0.6
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
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5
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
CH
l
20
r
DS （ ON）
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.7 V
0.11 @ V
GS
= –4.5 V
0.15 @ V
GS
= –3.0 V
0.19 @ V
GS
= –2.7 V
I
D
(A)
"5.0
"4.2
"3.6
"3.4
"2.9
"2.6
P沟道
P CH
l
–20
20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"12
"5.0
"4.0
"10
2.0
2.0
1.3
P沟道
–20
"12
"3.4
"2.8
"10
–2.0
2.0
1.3
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= – 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.2 A
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
I S
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= –
3.0
V，I
D
= –2.0 A
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= –1.0 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
V
DS
= -9 V，I
D
= –3.2 A
I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -2.0 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
A
–10
0.041
0.087
0.052
0.120
0.060
0.135
13
S
8
0.9
–0.9
1.2
V
–1.2
0.05
0.11
0.06
0.15
0.08
0.19
W
0.8
–0.8
1.2
V
–1.1
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
l
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
45V
50
P沟道
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
A
45V
P沟道
V
DD
= -6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
-1 V
根
-4 = 5 V ，R
G
= 6
W
A,
–4.5 V
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -2.0 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
10
8
2.6
nC
C
1.6
3.7
3.5
13
22
9
43
30
35
9
20
100
75
30
40
40
80
60
ns
70
30
40
150
100
20
20
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5.5, 5, 4.5, 4, 3.5 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
16
20
N沟道
传输特性
12
12
8
2.5 V
8
T
C
= 125_C
4
4
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
25_C
–55_C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
V
GS
= 2.7 V
V
GS
= 3 V
- 电容（pF ）
1600
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
1200
800
C
国际空间站
400
C
RSS
C
OSS
0.02
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
0
–50
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A
1.2
0.8
0.4
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.200
I
D
= 5 A
0.150
0.250
I
D
= 1 A
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.100
0.050
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
1.0
25
单脉冲功率
0.5
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
A
20
0.0
功率（W）的
15
10
–0.5
5
–1
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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S
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4
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5, 4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
10
P沟道
传输特性
6
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
–55_C
0
2
2, 1 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.25
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.20
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.7 V
V
GS
= 3 V
0.15
1500
1000
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
500
C
RSS
C
OSS
0.05
0
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
4
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.2 A
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.2 A
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0.6
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
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5
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
CH
l
20
r
DS （ ON）
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.7 V
0.11 @ V
GS
= –4.5 V
0.15 @ V
GS
= –3.0 V
0.19 @ V
GS
= –2.7 V
I
D
(A)
"5.0
"4.2
"3.6
"3.4
"2.9
"2.6
P沟道
P CH
l
–20
20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"12
"5.0
"4.0
"10
2.0
2.0
1.3
P沟道
–20
"12
"3.4
"2.8
"10
–2.0
2.0
1.3
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
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S
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符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= – 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.2 A
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
I S
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= –
3.0
V，I
D
= –2.0 A
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= –1.0 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
V
DS
= -9 V，I
D
= –3.2 A
I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -2.0 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
A
–10
0.041
0.087
0.052
0.120
0.060
0.135
13
S
8
0.9
–0.9
1.2
V
–1.2
0.05
0.11
0.06
0.15
0.08
0.19
W
0.8
–0.8
1.2
V
–1.1
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
l
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
45V
50
P沟道
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
A
45V
P沟道
V
DD
= -6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
-1 V
根
-4 = 5 V ，R
G
= 6
W
A,
–4.5 V
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -2.0 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
10
8
2.6
nC
C
1.6
3.7
3.5
13
22
9
43
30
35
9
20
100
75
30
40
40
80
60
ns
70
30
40
150
100
20
20
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5.5, 5, 4.5, 4, 3.5 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
16
20
N沟道
传输特性
12
12
8
2.5 V
8
T
C
= 125_C
4
4
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
25_C
–55_C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
V
GS
= 2.7 V
V
GS
= 3 V
- 电容（pF ）
1600
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
1200
800
C
国际空间站
400
C
RSS
C
OSS
0.02
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
0
–50
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A
1.2
0.8
0.4
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
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S
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3
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.200
I
D
= 5 A
0.150
0.250
I
D
= 1 A
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.100
0.050
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
1.0
25
单脉冲功率
0.5
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
A
20
0.0
功率（W）的
15
10
–0.5
5
–1
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
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4
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
Si9928DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5, 4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
10
P沟道
传输特性
6
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
–55_C
0
2
2, 1 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.25
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.20
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.7 V
V
GS
= 3 V
0.15
1500
1000
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
500
C
RSS
C
OSS
0.05
0
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
4
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.2 A
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.2 A
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0.6
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70143
S- 00652 -REV 。 G， 27 -MAR- 00
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