BC847AT/BT/CT
我们将其R ON
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
IC ，集电极电流（ MADC ）
图1归一化直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
图2 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
0.8
IC 。
10mA
IC = 20mA下
IC=-50mA
IC = 100毫安
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5中的电容
图6电流GAIN-带宽积
WEITRON
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