BC847AT ， BT ， CT
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
新产品
·
·
·
外延片建设
互补PNP类型可用
(BC857AT,BT,CT)
超小型表面贴装封装
C
顶视图
B
G
H
K
M
E
A
B
SOT-523
暗淡
A
C
民
0.15
0.75
1.45
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
最大
0.30
0.85
1.75
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
典型值
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
机械数据
·
·
·
·
案例： SOT- 523 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
重0.002克数（大约）
N
J
D
L
TYPE
BC847A
BC847B
BC847C
记号
1E
1F
1M
0.45 0.65 0.50
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
50
45
6.0
100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
订购信息
（注2 ）
设备
BC847AT-7
BC847BT-7
BC847CT-7
注意事项：
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.装置安装在FR- 4印刷电路板用推荐焊盘布局。
2.对于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30274修订版A- 2
1第3
BC847AT ， BT ， CT
250
（见注1 ）
1000
V
CE
= 5V
100 C
新产品
P
d
，功耗（毫瓦）
200
h
FE ，
直流电流增益
T
A
= 25 C
100
-50 C
150
100
10
50
0
0
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，功率降额曲线
0.5
1
200
0.01
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2 ，直流电流增益VS集电极电流
1000
V
CE
，集电极饱和电压（ V）
f
T
，增益带宽积（兆赫）
I
C
/ I
B
= 20
T
A
= 25 C
0.4
V
CE
= 10V
5V
2V
0.3
100
0.2
T
A
= 100 C
0.1
25 C
-50 C
0
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，集电极饱和电压与集电极电流
10
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，增益带宽积VS集电极电流
注意事项：
1.装置安装在FR- 4印刷电路板用推荐焊盘布局。
DS30274修订版A- 2
3 3
BC847AT ， BT ， CT
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用开关和放大，特别是
在便携式通信设备
电子数据处理（EDP ）和消费者
应用程序。
描述
NPN晶体管中的SC- 75的塑料封装。
PNP补充： BC856T和BC857T 。
1
2
手册， halfpage
BC846T ; BC847T
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
MAM348
记号
TYPE
数
BC846AT
BC846BT
BC847AT
记号
CODE
1A
1B
1E
TYPE
数
BC847BT
BC847CT
记号
CODE
1F
1G
顶视图
Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC846AT ; BC846BT
BC847AT ; BC847BT ; BC847CT
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC846AT ; BC846BT
BC847AT ; BC847BT ; BC847CT
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
65
45
5
100
200
100
150
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
80
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月26日
2
BC847AT / BC847BT / BC847CT
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
NPN塑料封装晶体管
特点
非常适合自动插入
对于开关和AF放大器应用
A
SOT-523
： BASE
：辐射源
-collector
3
记号
产品
BC847AT
BC847BT
BC847CT
标识代码
1E
1F
1G
F
1
M
3
顶视图
2
C B
1
2
K
L
E
D
G
H
J
REF 。
包装信息
包
SOT-523
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
1.5
1.7
1.45
1.75
0.75
0.85
0.7
0.9
0.9
1.1
0.15
0.25
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.1
0.55 REF 。
0.1
0.2
-
0.5 TYP 。
0.25
0.325
集热器
BASE
辐射源
绝对最大额定值
( T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
50
45
6
0.1
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
A
mW
℃
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
06 -JAN- 2011版本A
第1页3
BC847AT / BC847BT / BC847CT
公司Bauelemente
NPN塑料封装晶体管
电气特性
( T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
BC847AT
直流电流增益
BC847BT
BC847CT
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
BC847BT
BC847CT
f
T
C
Ob
NF
h
FE
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
分钟。
50
45
6
-
-
-
-
-
580
-
110
200
420
100
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.7
0.9
660
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
15
0.25
0.6
-
-
700
770
220
450
800
-
4.5
10
4
单位
V
V
V
nA
V
V
mV
测试条件
I
C
= 10
μA,
I
E
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
E
= 1
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
兆赫
pF
dB
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
F = 100MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1MHz的
V
CE
= 5V ， BW = 200HZ ，
F = 1kHz时，R
S
= 2 k
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06 -JAN- 2011版本A
分页： 1 2 3
BC847AT / BC847BT / BC847CT
公司Bauelemente
NPN塑料封装晶体管
特性曲线
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06 -JAN- 2011版本A
第3页3
BC846...-BC850...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC846...
BC847 ... ， BC850 ...
BC848 ... ， BC849 ...
集电极 - 发射极电压
BC846...
BC847 ... ， BC850 ...
BC848 ... ， BC849 ...
集电极 - 基极电压
BC846...
BC847 ... ， BC850 ...
BC848 ... ， BC849 ...
发射极 - 基极电压
BC846...
BC847 ... ， BC850 ...
BC848 ... ， BC849 ...
集电极电流
峰值集电极电流
总功率dissipation-
T
S
≤
71 ° C， BC846 - BC850
T
S
≤
128 ° C， BC847F - BC850F
T
S
≤
135 ° C， BC847L3 - BC848L3
T
S
≤
109 ° C， BC847T
T
S
≤
124 ° C， BC846W - BC850W
结温
储存温度
T
j
T
英镑
I
C
I
CM
P
合计
330
250
250
250
250
150
-65 ... 150
°C
V
EBO
6
6
6
100
200
mW
mA
V
CBO
80
50
30
V
CES
80
50
30
符号
V
首席执行官
65
45
30
价值
单位
V
3
2007-04-20
BC846...-BC850...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BC846 ...
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， ... BC847 ， BC850 ...
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， ... BC848 ， BC849 ...
65
45
30
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， BC846 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， ... BC847 ， BC850 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， ... BC848 ， BC849 ...
80
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
-
-
-
6
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0 ,
I
C
= 10 A
-
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
0.015
5
140
250
480
180
290
520
-
-
-
-
-
-
220
450
800
mV
直流电流增益
1)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
-
-
-
110
200
420
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
90
200
700
900
660
-
250
600
-
-
700
770
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE（上）
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1
脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
580
-
5
2007-04-20
BC847AT/BT/CT
通用晶体管
NPN硅
集热器
3
1
3
3
2
1
BASE
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
45
50
6.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
RJ-A
TJ ， TSTG
最大
150
2.4
833
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC847AT/BT/CT
电气特性
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
（IC = 10微安， VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10微安）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0微安）
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
45
50
50
6.0
-
-
-
-
-
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
V
V
V
V
nA
mA
-
15
5.0
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10微安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC847A
BC847B
BC847C
BC847A
BC847B
BC847C
的hFE
-
-
-
110
200
420
90
150
270
180
290
520
-
-
0.7
0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
-
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
V
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
RS = 2.0 K，
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC847AT/BT/CT
我们将其R ON
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
IC ，集电极电流（ MADC ）
图1归一化直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
图2 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
0.8
IC 。
10mA
IC = 20mA下
IC=-50mA
IC = 100毫安
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5中的电容
图6电流GAIN-带宽积
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC847AT/BT/CT
SC- 89外形Demensions
我们将其R ON
单位：mm
A
SC-89
3
牛逼的运算V即瓦特
2
1
K
G
D
B
S
M
C
J
N
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
M
N
S
民
1.50
0.75
0.60
0.23
0.10
0.30
---
---
1.50
喃
1.60
0.85
0.70
0.28
0.50BSC
0.15
0.40
---
---
1.60
最大
1.70
0.95
0.80
0.33
0.20
0.50
10
10
1.70
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC847AT ， BT ， CT
特点
外延片建设
互补PNP类型可用（ BC857AT ， BT ， CT ）
超小型表面贴装封装
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
NPN
表面贴装小
信号晶体管
150mW
SOT-523
A
D
最大数据
案例： SOT- 523
码头：每MIL -STD- 202方法208
极性：见图
C
标记： BC847AT - 1E ， BC847BT - 1F ， BC847CT -1G 。
最大额定值@ 25
符号
除非另有说明
价值
单位
E
B
C
参数
B
E
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
C
P
d
R
JA
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到
环境（注1 ）
工作&储存温度
45
50
6.0
100
150
833
-55~+150
VDC
VDC
G
H
J
VDC
MADC
mW
/W
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
K
尺寸
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
记
T
J
, T
英镑
注意事项：1.装置安装在FR- 4 PCB板焊盘推荐
布局
修订： 4
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1第3
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BC847AT ， BT ， CT
电气特性@ 25
符号
参数
直流电流增益
h
FE
（注2 ）
电流增益
B
C
集电极 - 发射极饱和电压
（注2 ）
基射极饱和电压
（注2 ）
基射极电压（注2 ）
集电极截止电流（注2 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
BC847BT
BC847CT
MCC
微型商业组件
TM
除非另有说明
民
典型值
最大
单位
测试条件
开关特性
110
200
420
---
---
580
---
---
---
100
---
---
---
290
520
---
700
900
660
---
---
---
---
---
---
222
450
800
250
600
---
700
770
15
5.0
---
4.5
10
4.0
---
V
CE
= 5.0V ，我
C
=2.0mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5.0mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
V
CE
= 5.0V ，我
C
=2.0mA
V
CE
= 5.0V ，我
C
=10mA
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
CB
= 30V ，T
j
=125
V
CE
= 5.0V ，我
C
=10mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
=5V,R
S
=2.0Kohm,
f=1.0MHz,BW=200HZ
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
注意：用于最小化自加热效应2.短持续时间脉冲测试。
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微型商业组件
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（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
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