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AT90S/LS2323/2343
对于EEPROM ，一个自动擦除周期内的自定时写指令提供
而且没有必要执行芯片擦除指令。芯片擦除指令
灰接通的每个存储单元的内容，同时在程序存储器和EEPROM
数组为$ FF 。
程序和EEPROM存储器阵列具有独立的地址空间：$ 0000
$ 03FF的闪存程序存储器美元和000至$ 07F的EEPROM数据存储器。
无论是外部时钟应用到XTAL1 / PB3引脚或器件的时钟必须
从内部RC振荡器（ AT90S / LS2343只） 。最小的低和高围
ODS的串行时钟（SCK）输入定义如下：
低： > 2 MCU时钟周期
高： > 2 MCU时钟周期
低电压串行
编程算法
当串行写入数据到AT90S2323 / 2343 ，数据被计时上的上升沿
SCK 。
当从AT90S2323 / 2343读数据时，数据被计时上的下降沿
SCK 。参见图36 ，图37和表20的时序细节。
编程和验证AT90S2323 / 2343在低电压串行编程
模式时，遵循以下的步骤（见第4字节指令格式
表19）：
1.上电顺序：
适用于V之间的权力
CC
和GND当RESET和SCK被设置为“0”。 （如果
程序员不能保证SCK是在上电期间保持低电平，复位绝
给出一个正脉冲之后的SCK已被设置为“0”。 ），如果该设备是亲
编程为外部时钟，应用0 - 8 MHz时钟到XTAL1 / PB3引脚。如果
内部RC振荡器作为时钟源，无需外部时钟源
需要应用（仅AT90S / LS2343 ） 。
2.等待至少20 ms，然后发送编程使能串口编程
明启用串行指令的MOSI （ PB0 ）引脚。参考上面的部分
最小的低和高周期为串行时钟输入， SCK 。
3.串行编程指令不工作，如果通信不中
同步。当同步，第二个字节（$ 53）将被反馈回来issu-时
荷兰国际集团的规划的第三个字节使能指令。不论反馈的内容
正确与否，所有4个字节的指令必须被发送。如果53美元做
不回显，给SCK一个正脉冲，并发出新的编程使能
指令。如果$ 53不超过32个的尝试可见，不存在功能元件
连接。
4.如果一个芯片擦除执行（必须做擦除Flash ） ，等待吨
WD_ERASE
该指令后，向RESET提供一个正脉冲，并从第2步见从头再来
表21吨46页
WD_ERASE
值。
5. Flash或EEPROM编程一个字节的时间通过提供
地址和相应的写指令的数据在一起。一个EEPROM
之前有新数据写入存储器位置被自动擦除。利用
数据轮询检测时，在Flash或EEPROM中的下一个字节可以令状
10 。如果不使用查询，等待吨
WD_PROG
之前发送的下一个指令。
请参阅表22吨46页
WD_PROG
值。在擦除设备，没有美元的农民田间学校
数据文件（多个）需要进行编程。
6.任何一个存储单元可以通过使用读指令时，它返回被验证
在所选择的地址的内容的串行输出MISO（ PB1 ）引脚。
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