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表16 。
高电压串行编程指令集
指令格式
指令
PB0
芯片擦除
PB1
PB2
写闪存
高，低
地址
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1P
B2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
PB0
PB1
PB2
Instr.1
0_1000_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0001_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_
i i i i_i i i i
_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_
i i i i_i i i i
_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0010_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1000_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1000_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0001_0001_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_
i i i i_i i i i
_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0011_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1000_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0100_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0100_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0010_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Instr.2
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_00aa_00
0_0001_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_00aa_00
0_0001_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
o_oooo_ooox_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1100_00
o_oooo_ooox_xx
0_0bbb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0bbb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
o_oooo_ooox_xx
0_11S1_111F_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_11S1_111R_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_1111_1211_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Instr.3
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_bbbb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
0_0000_0000_00
0_0000_0000_00
0_0111_1100_00
0_0000_0000_00
0_bbbb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Instr.4
0_0000_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
操作说明
等待牛逼
WLWH_CE
Instr.3为后
芯片擦除周期完成。
重复Instr.2为一个新
256字节页。重复Instr.3
对于每一个新的地址。
等待Instr.3后，直到PB2
变高。重复Instr.1 ，
INSTR 。 2 Instr.3每个
新地址。
等待Instr.3后，直到PB2
变高。重复Instr.1 ，
INSTR 。 2 Instr.3每个
新地址。
重复Instr.2和Instr.3的
每一个新的地址。
写闪存
低字节
写闪存
高字节
阅读闪存
高，低
地址
阅读闪存
低字节
重复Instr.1和Instr.2的
每一个新的地址。
阅读闪存
高字节
写
EEPROM
低地址
写
EEPROM
字节
读
EEPROM
低地址
读
EEPROM
字节
写保险丝
位（ AT90S /
LS2323)
写保险丝
位（ AT90S /
LS2343)
重复Instr.1和Instr.2的
每一个新的地址。
重复Instr.2为每个新
地址。
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
0_0000_0000_00
等待Instr.3后，直到PB2
变高
重复Instr.2为每个新
地址。
重复Instr.2为每个新
地址
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
0_0000_0000_00
等待牛逼
WLWH_PFB
Instr.3为后
写熔丝位周期
光洁度。集
S，F
=“0”到
程序，'1'到unprogram 。
等待牛逼
WLWH_PFB
Instr.3为后
写熔丝位周期
光洁度。集
S，R-
=“0”到
程序，'1'到unprogram 。
等待Instr.4后，直到PB2
变高。写
2, 1
=“0”到
编程锁定位。
写锁
位
40
AT90S/LS2323/2343
1004D–09/01
