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AD5821
当下沉120毫安的最大电流，最大
电压降使R两端
SENSE
是400毫伏，并最小
漏到Q1的源极电压为200毫伏。这意味着该
AD5821的输出为600 mV的顺从电压。如果V
降
低于600 mV时，输出晶体管Q1，可以不再
操作正常，我
SINK
可能不被保持为一个常数。
当下沉90毫安，最大电压降允许
R两端
SENSE
为300毫伏，而最小的漏 - 源
Q1的电压为180毫伏。这意味着， AD5821输出
有480 mV的电压达标。如果V
降
低于480毫伏，
输出晶体管中，Q1 ，不再能正常操作，并
I
SINK
可能不被保持为一个常数。正如我
SINK
减小，
需要在晶体管中，Q1的电压，也降低，并且
因此，较低的电源可与音圈电机。
通过音圈的电流增大到120mA，小
V
C
增加。 V
降
减少并最终接近
指定的最低顺从电压为600毫伏（或480毫伏，
如果我
SINK
= 90 mA）的。接地返回路径是由建模
分量R
G
和L
G
。声音之间的轨道电阻
线圈和AD5821被建模为R
T
。的诱导效应
L
G
影响
SENSE
和R
C
同样，和由于电流
维持为常数，它是不一样重要的纯电阻
接地返回路径的组成部分。当最大下沉
电流流过电机，所述电阻元件中，R
T
和
R
G
，可能对Q1的电压裕量的影响，并
可以反过来限制了R的最大值
C
由于
电压依从性。
例如，如果
V
电池
= 3.6 V
R
G
= 0.5 Ω
R
T
= 0.5 Ω
I
SINK
= 120毫安
V
降
= 600毫伏（顺从电压）
音圈中，R的电阻则最大值
C
，是
R
C
=
V
BAT
[
V
降
+
(
I
SINK
×
R
T
)
+
(
I
SINK
×
R
G
)]
=
I
SINK
用另一个实例中，如果
V
电池
= 3.6 V
R
G
= 0.5 Ω
R
T
= 0.5 Ω
I
SINK
= 90毫安
V
降
= 480毫伏（顺从电压规格为90 mA）的
音圈中，R的电阻则最大值
C
，是
R
C
=
V
BAT
[
V
降
+
(
I
SINK
×
R
T
)
+
(
I
SINK
×
R
G
)]
=
I
SINK
3.6 V
[ 480毫伏
+
2
×
（ 90毫安
×
0.5 Ω)]
90毫安
=
33.66 Ω
出于这个原因，它以最小化任何串联阻抗是非常重要的
上两者的接地返回路径和互连
AD5821和电机。同样重要的是要注意，对
我的较低值
SINK
，输出级的电压达标
也减小。这种降低允许用户在任一使用语音
线圈电机具有高电阻值或减小功率
音圈马达上的电压。顺从电压
减小以及我
SINK
电流减小。
在AD5821的电源，或者用于提供稳压
的AD5821 ，去耦。最佳实践电源
去耦建议该电源去耦
一个10μF的电容。理想情况下，这10 μF的电容应该是
一个钽电容。然而，如果电源或调节器
供应良好的监管和清理，这样的去耦可能不
所需。在AD5821应在本地使用0.1 μF去耦
陶瓷电容，而这0.1 μF电容应为
尽可能地接近在V
DD
引脚。 0.1μF电容应
陶瓷具有低的等效串联电阻和等效串联
电感。 0.1 μF电容可提供低阻抗通路
对地高的瞬态电流。
电源线应该有一个跟踪尽可能大，以
提供低阻抗路径，并减小毛刺的影响
供应线。时钟和其它快速开关的数字信号应
通过数字地从电路板的其他部分被屏蔽。
避免数字信号与模拟信号交叉，如果可能的话。当
穿过的痕迹在电路板的两面，它们应该运行在
直角彼此通过降低馈通效应
董事会。最好的方法是使用多层电路板与
接地和电源层，对那里的元件面
板专用于仅在接地平面和信号
走线则布设在焊接侧。然而，这并不总是
可以使用2层基板。
3.6 V
[ 600毫伏
+
2
×
（ 120毫安
×
0.5 Ω)]
120毫安
=
24 Ω
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