PSD4256G6V
编程闪存
快闪记忆体必须是亲前擦除
编程。该MCU可擦除闪存中的所有
一次或部门。虽然擦除闪存存储器
储器发生在一个部门或设备的基础上，编程
明闪存发生在一个字的基础。
小学和中学的闪存重新
要求其它MCU发送的指令编程
单词或擦除扇区（见表29 ，第27页） 。
一旦MCU发出闪存编程或
擦除指令，它必须检查状态位
完成。嵌入式算法，在 -
voked的支持PSD里面的几个途径
提供状态到MCU 。状态可以检查
使用以下三种方法：数据查询，数据
切换，或就绪/忙（ PE4 ）信号。
数据轮询
轮询的数据轮询位（ DQ7 / DQ15 ）是
检查是否编程或擦除的方法
周期正在进行中或已完成。图6
显示数据轮询算法。
当MCU发出编程指令，
PSD中嵌入的算法开始。该
单片机然后读取该字的位置为亲
编程的闪存，以检查其状态。
数据轮询位（ DQ7 / DQ15 ）成为
原有的相应位的补码
数据字进行编程。该MCU继续
查询该位置，对比数据和监控
荷兰国际集团的错误标志位（ DQ5 / DQ13 ） 。当数据
轮询位（ DQ7 / DQ15 ）的相应匹配
原始数据的位，可以与错误标志位
（ DQ5 / DQ13 ）保持“0”，嵌入式算法
就完成了。如果错误标志位（ DQ5 / DQ13 ）为'1'
MCU应该测试数据轮询位（ DQ7 /
DQ15 ）再次因为数据轮询位（ DQ7 /
DQ15 ）可能与同时改变
错误标志位（ DQ5 / DQ13 ） （见图6） 。
错误标志位（ DQ5 / DQ13 ）设置如果任一
发生内部超时而嵌入式AL-
gorithm试图编程的位置，或者如果
MCU试图编写一个'1'了一下，这是
不能删除（不擦除为逻辑“0” ） 。
有人建议（与所有的Flash存储器）读取
嵌入式编程之后再次为位置
明算法已经完成，比较
被写入到闪存字
词的目的是要被写入。
当在一个使用数据轮询方法
擦除周期，如图6仍然适用。然而，该
数据轮询位（ DQ7 / DQ15 ）为“0” ，直到删除
循环完成。 '1'的错误标志位（ DQ5 /
DQ13 ）表示在擦除超时条件
周期中， 0表示没有错误。 MCU可以读取
行业内的任何位置，甚至被擦除
得到数据轮询位（ DQ7 / DQ15 ）和误差
标志位（ DQ5 / DQ13 ） 。
PSDsoft中生成ANSI C代码的功能， IM-
二进制补码，这些数据轮询算法。
图6.数据查询流程图
开始
READ DQ5和DQ7
（ DQ13和DQ15 ）
在有效的，即使地址
DQ7
(DQ15)
=
Data7
(Data15)
No
是的
No
DQ5
(DQ13)
=1
是的
阅读DQ7
(DQ15)
DQ7
(DQ15)
=
Data7
(Data15)
No
节目
或擦除
周期失败
是的
节目
或擦除
周期
完整
问题RESET
指令
AI04920
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