PSD4256G6V
说明
一个指令由特定的序列的
操作。每一个接收到的字节顺序是DE-
通过在PSD的编码，并且不执行作为标准
WRITE操作。该指令被执行
当正确的字节数是再正常
可察觉和两个连续的时间间隔
字节比所述超时时间短。有些IN-
structions的结构，以包括读操作
最初的写入操作之后，系统蒸发散。
该指令必须严格遵守。任何IN-
指令字节或超时的有效组合
连续的两个字节之间，同时解决
闪存存储器复位器件逻辑为READ
模式（闪存读取就像一个ROM设备） 。
该PSD支持总结中的说明
表29 ，第27页：
s
通过芯片或扇区擦除记忆
s
s
s
s
s
s
挂起或恢复扇区擦除
编程一个字
RESET为READ模式
读小学的Flash标识符值
读扇区保护状态
绕行
这些说明详见表29页
27.有关的指示有效的解码，所述
前两个字节的指令被编码赛扬
克莱斯和后跟的指令字节或CON-
firmation字节。该编码周期包括写作
第一赛扬在数据写入AAh解决XAAAh
CLE和数据55H在仲解决X554h
OND周期（除非绕道指令的特点是
使用时，如后述）。地址信号A15-
A12是“不关心”的指导思想写在
周期。然而，相应的行业选择
信号（ FS0 - FS15 ，或CSBOOT0 - CSBOOT3 ）绝
被选择。
小学和中学的闪存有
相同的指令集（除了读主
闪光标识符）。该部门选择信号阻止 -
矿的Flash存储器是接收和exe-
可爱的指令。主闪存存储器是
如果它的行业选择信号的任何一个选择
（ FS0 - FS15 ）为高电平时，与二次闪光
内存选择，如果其行业选择的任何一个
信号（ CSBOOT0 - CSBOOT3 ）为高。
电条件
上电后的PSD内部逻辑复位
在读取模式。行业选择（ FS0 - FS15和
CSBOOT0 - CSBOOT3 ）必须保持为低电平，
写选通（ WR / WRL ， CNTL0 ）高，中
上电时的数据CON-的最大的安全性
帐篷和删除的数据是可能
写在写选通的第一条边（ WR /
WRL ， CNTL0 ） 。任何写周期的起始是
锁定时， V
CC
低于V
LKO
.
读
在典型的情况下， MCU可以读取
主闪存存储器，或仲闪存存储器
储器，使用读操作，就像它一
ROM或RAM设备。或者， MCU可以
使用读操作来获得状态信息
关于编程或擦除周期目前处于
进展情况。最后， MCU可以使用指令来
读取这些内存块的特殊数据。该
下面分别介绍这READ功能。
读存储器内容
主闪存和辅助闪存
内存被放置在读取模式Pow-后
ER-了，芯片复位，或者复位闪光指令（见
表29 ，第27页） 。 MCU可以读取的MEM
主闪存储器的内容，或
第二Flash存储器使用读操作
TIONS任何时候读取操作是不是一个组成部分
指令。
读小学的Flash标识
主闪存标识符读取
指令的4操作组成： 3具体
写操作和读操作（见附表
竹叶提取29 ，第27页） 。该标识符用于主
闪存是E7H 。二级闪存存储器
储器不支持该指令。
读存储器扇区保护状态
Flash存储器扇区保护状态
读取四个操作组成的指令
系统蒸发散：三个具体写操作和
读操作（见表29 ，第27页） 。该
读操作产生01H如果Flash memo-
Ry的扇区被保护，或为00h如果该扇区是不
受保护的。
所有NVM块的扇区保护状态
（主闪存存储器，或仲闪存存储器
储器）可以通过访问闪存的MCU读取
在保护和Flash启动保护寄存器
PSD I / O空间。请参见题为“闪光
内存部门保护“ ，第34页，用于寄存器
德网络nitions 。
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