M48Z32V
操作模式
2.4
V
CC
噪声及瞬变负向
I
CC
瞬变，包括那些由输出开关产生的，可产生电压
的波动，从而导致在V尖峰
CC
总线。这些瞬变的话可以减少
电容器被用于存储能量用于稳定在V
CC
总线。存储在所述能量
由于产生的低电平电压尖峰或能量将旁路电容将被释放
时过冲发生吸收。 0.1μF的陶瓷旁路电容值（见
图7）
建议，以提供所需要的滤波。
除了瞬变是由正常的SRAM操作引起的，功率循环会
生成V的负电压尖峰
CC
驱动它以低于V值
SS
之多
一伏特。这些消极的尖峰可能会导致数据损坏的SRAM ，而在电池
备份模式。从这些电压尖峰，以保护， ST建议连接肖特基
从V二极管
CC
到V
SS
（阴极连接到V
CC
，阳极V
SS
） 。 （肖特基二极管1N5817
被推荐用于通孔和MBRS120T3推荐用于表面安装） 。
图7 。
供应电压保护
VCC
VCC
0.1μF
设备
VSS
AI02169
11/19
