操作模式
表4 。
写模式AC特性
M48Z32V
符号
参数
(1)
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ(2)(3)
t
AVWH
t
AVEH
t
WHQX(2)(3)
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
写使能高到输出转换
25
25
5
35
0
0
25
25
0
0
12
12
0
0
13
–35
最大
M48Z32V
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 3.0 3.6V （除非另有说明） 。
2. C
L
= 5pF的（见
图8第16页） 。
3.如果E同时变为低电平用W变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
2.3
数据保持方式
凭有效V
CC
应用时， M48Z32V作为一个传统的单字节宽静态RAM 。
如果电源电压衰减时， RAM会自动掉电取消选择，写
保护自己当V
CC
属于内伏
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为“不关心”。
注意：
在写周期，电源故障可能在当前位置寻址损坏的数据，
但不危及RAM的其余内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则
用户可以放心的存储器将是在写保护状态，设置在V
CC
下降时间
不大于吨以下
F
。该M48Z32V可能会响应瞬态的V噪声尖峰
CC
该河段
成在该时间取消选定窗口中的设备是取样V
CC
。因此，去耦
所述电源线中的建议。
当V
CC
低于V
SO
时，控制电路转换电源到外部电池，其
保存的数据。
由于系统电源恢复和V
CC
上升超过V
SO
，电池断开，而
电源被切换到外部V
CC
。写保护一直持续到V
CC
到达
V
PFD
（分）加吨
REC
（分钟）。正常RAM操作就可以恢复吨
REC
经过V
CC
超过
V
PFD
（最大值）。
有关电池的储存寿命的更多信息请参考应用笔记AN1012 。
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