RoHS指令

柔顺

砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关

DC - 3.0 GHz的

电气规格：吨

A

= 25°C ，VC = 0 V / 2.5 V ，Z

0

= 50欧姆

3

参数

插入损耗

4

MASWSS0181

V2

测试条件

DC - 1 GHz的

1 - 2 GHz的

2 - 3 GHz的

DC - 1 GHz的

1 - 2 GHz的

2 - 3 GHz的

DC - 2 GHz的

2 - 3 GHz的

两个音， +26 dBm的/音， 5 MHz的间距

> 50兆赫

—

1 GHz时， P

IN

= +34 dBm的

1 GHz时， P

IN

= +34 dBm的

10 ％至90％的射频，90％至10％的射频

50％的控制，以90％的射频，并且50％的控制，以10％的射频

在带

单位

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

DBM

DBM

dBc的

dBc的

S

S

mV

A

分钟。

—

—

—

23.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值。

0.40

0.50

0.75

26

20

16

20

16

57

39

-75

-75

0.04

0.06

50

—

马克斯。

0.65

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

-67

—

—

—

50

隔离

回波损耗

IP3

P0.1dB

2

nd

谐波

3

rd

谐波

素养， TFALL

吨， Toff的

瞬变

控制电流

3.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。

4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 500兆赫， 100 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。

QUALI科幻阳离子

资格M / A - COM规范REL -201 ，

流程-2 。

真值表

5,6

V1

1

V2

0

1

ANT- RF1

On

关闭

ANT - RF2

关闭

On

办理程序

请遵循以下注意事项，以避免

伤害：

5.

6.

0

静电灵敏度

砷化镓集成电路是敏感

对静电放电（ESD） ，并且可以是

被静电损坏。适当的ESD控制

处理这些时应当使用一

设备。

差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.5 V

最小和不得超过8 V.

0 = -5 V至2.5 V ， 1 = -2.5 V至+5 V

2

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