RoHS指令
柔顺
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.5 V
谐波： <-67 dBc的在+34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗： 0.40分贝在1 GHz
高隔离度：20分贝2 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅SOT- 26封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MASWSS0006的*符合RoHS标准的版本
MASWSS0181
V2
功能原理图
销1
引脚6
RF1
V1
RFC
39
pF
1 00
pF
V2
100pF
39 pF的
GND
RF2
1 00 pF的
39 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0181是GaAs PHEMT
MMIC单刀2掷（ SPDT ）大功率
切换中的无铅的SOT- 26封装。
该
MASWSS0181非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于GSM和DCS手机
连接单独的发送和接收系统
功能与共用天线，以及其他
相关的手机及一般用途的应用。
这部分可以在运行了所有系统中使用
3 GHz的要求高功率的低控制电压。
该MASWSS0181是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF端口1
射频地
RF端口2
控制2
RF通用端口
控制1
绝对最大额定值
1,2
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz时， 2.5 V控制）
电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+38 dBm的
± 8.5伏
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
订购信息
产品型号
MASWSS0181
MASWSS0181TR
MASWSS0181TR-3000
MASWSS0181SMB
包
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
1.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
2， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25°C ，VC = 0 V / 2.5 V ，Z
0
= 50欧姆
3
参数
插入损耗
4
MASWSS0181
V2
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
两个音， +26 dBm的/音， 5 MHz的间距
> 50兆赫
—
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm的
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50％的控制，以90％的射频，并且50％的控制，以10％的射频
在带
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dBc的
dBc的
S
S
mV
A
分钟。
—
—
—
23.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.40
0.50
0.75
26
20
16
20
16
57
39
-75
-75
0.04
0.06
50
—
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-67
—
—
—
50
隔离
回波损耗
IP3
P0.1dB
2
nd
谐波
3
rd
谐波
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
3.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 500兆赫， 100 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
真值表
5,6
V1
1
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
5.
6.
0
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.5 V
最小和不得超过8 V.
0 = -5 V至2.5 V ， 1 = -2.5 V至+5 V
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线与温度的关系， 100 pF的隔直电容
插入损耗与频率
+25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
+85°C
-40°C
40
MASWSS0181
V2
隔离与频率的关系
+25°C
+85°C
-40°C
插入损耗（dB ）
30
隔离度（dB ）
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
二次谐波与电压控制，
PIN = 34 dBm的CW ， 1 GHz的
+25°C
-60
+85°C
-40°C
第三谐波与电压控制，
PIN = 34 dBm的CW ， 1 GHz的
+25°C
-60
+85°C
-40°C
相对谐波数（dBc ）
相对谐波数（dBc ）
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-65
-70
-75
-80
-85
-90
-65
-70
-75
-80
-85
-90
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VC （ V）
VC （ V）
LEAD -FREE
SOT- 26塑料包装
3
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MASWSS0181
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.5 V
谐波： <-67 dBc的在+34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗： 0.40分贝在1 GHz
高隔离度：20分贝2 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅SOT- 26封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MASWSS0006的*符合RoHS标准的版本
修订版V2
功能原理图
销1
引脚6
RF1
V1
RFC
39
pF
1 00
pF
V2
100pF
39 pF的
GND
RF2
1 00 pF的
39 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0181是GaAs PHEMT
MMIC单刀2掷（ SPDT ）大功率
切换中的无铅的SOT- 26封装。
该
MASWSS0181非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于GSM和DCS手机
连接单独的发送和接收系统
功能与共用天线，以及其他
相关的手机及一般用途的应用。
这部分可以在运行了所有系统中使用
3 GHz的要求高功率的低控制电压。
该MASWSS0181是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF端口1
射频地
RF端口2
控制2
RF通用端口
控制1
绝对最大额定值
2,3
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz时， 2.5 V控制）
电压
工作温度
绝对最大
+38 dBm的
± 8.5伏
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
订购信息
产品型号
MASWSS0181
MASWSS0181TR
MASWSS0181TR-3000
MASWSS0181SMB
1
储存温度
包
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
2.超出任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
3， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0181
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25°C ，VC = 0 V / 2.5 V ，Z
0
= 50欧姆
4
参数
插入损耗
5
修订版V2
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
两个音， +26 dBm的/音， 5 MHz的间距
> 50兆赫
—
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm的
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50％的控制，以90％的射频，并且50％的控制，以10％的射频
在带
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dBc的
dBc的
S
S
mV
A
分钟。
—
—
—
23.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.40
0.50
0.75
26
20
16
20
16
57
39
-75
-75
0.04
0.06
50
—
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-67
—
—
—
50
隔离
回波损耗
IP3
P0.1dB
2
nd
谐波
3
rd
谐波
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
4.对于正电压控制，外部隔直流电容器必须在所有RF端口。
5.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 500兆赫， 100 pF的0.5千兆赫 - 3
千兆赫。
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
真值表
6,7
V1
1
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
0
6.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.5 V
最小和不得超过8 V.
7. 0 = -5 V至2.5 V ， 1 = -2.5 V至+5 V
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0181
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线与温度的关系， 100 pF的隔直电容
插入损耗与频率
+25°C
1.0
+85°C
-40°C
40
修订版V2
隔离与频率的关系
+25°C
+85°C
-40°C
0.8
30
0.6
20
0.4
10
0.2
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
f重新阙NC （G ^ h Z）
f重新阙NC （G ^ h Z）
二次谐波与电压控制，
PIN = 34 dBm的CW ， 1 GHz的
+25°C
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
+85°C
-40°C
第三谐波与电压控制，
PIN = 34 dBm的CW ， 1 GHz的
+25°C
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
+85°C
-40°C
VC （ V）
VC （ V）
LEAD -FREE
SOT- 26塑料包装
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
QQ：2880707522 复制
