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IRL2203NS/LPbF
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
民
30
–––
–––
–––
1.0
73
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值
–––
0.029
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
160
23
66
4.5
7.5
3290
1270
最大单位
–––
–––
7.0
10
3.0
–––
25
250
100
-100
60
14
33
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
Nh
–––
–––
–––
pF
mJ
V
DD
= 15V
I
D
= 60A
R
G
= 1.8
nC
V
S
A
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 48A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 60A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 60A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 4.5V ，参照图10
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
I
AS
= 60A ，L = 0.16mH
170
–––
290
––– 1320
源极 - 漏极额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
民
–––
–––
–––
–––
–––
典型值
–––
–––
–––
56
110
最大单位
116
400
1.2
84
170
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 60A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 60A
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.16mH
G
= 25,
I
AS
= 60A ，V
GS
= 10V （见图12）
I
SD
≤
60A ， di / dt的
≤
110A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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