PD - 95219
IRL2203NSPbF
IRL2203NLPbF
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l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
100% R
G
经过测试
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 7.0m
G
S
I
D
= 116A
描述
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装，可调节
模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D
2
PAK
适合，因为它的低内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRL2203NL ）可用于低轮廓的应用程序。
D
2
PAK
IRL2203NS
TO-262
IRL2203NL
绝对最大额定值
符号
参数
最大
116
82
400
3.8
180
1.2
± 16
60
18
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
A
W
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
单位
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
I
DM
P
D
@T
A
= 25 °C功耗
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
结到外壳
参数
典型值
–––
–––
最大
0.85
40
单位
° C / W
结到环境（ PCB安装，稳态）
www.irf.com
1
04/27/04
IRL2203NS/LPbF
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
民
30
–––
–––
–––
1.0
73
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值
–––
0.029
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
160
23
66
4.5
7.5
3290
1270
最大单位
–––
–––
7.0
10
3.0
–––
25
250
100
-100
60
14
33
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
Nh
–––
–––
–––
pF
mJ
V
DD
= 15V
I
D
= 60A
R
G
= 1.8
nC
V
S
A
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 48A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 60A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 60A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 4.5V ，参照图10
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
I
AS
= 60A ，L = 0.16mH
170
–––
290
––– 1320
源极 - 漏极额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
民
–––
–––
–––
–––
–––
典型值
–––
–––
–––
56
110
最大单位
116
400
1.2
84
170
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 60A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 60A
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.16mH
G
= 25,
I
AS
= 60A ，V
GS
= 10V （见图12）
I
SD
≤
60A ， di / dt的
≤
110A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRL2203NS/LPbF
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
100
VGS
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
顶部
2.7V
10
10
2.7V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T = 25℃
J
°
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T = 175℃
J
°
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
I
D
= 100A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
1.5
100
1.0
0.5
10
2.0
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
3.0
4.0
7.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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