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应用
l
高频率同步降压
转换为计算机处理器电源
l
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
IRF3709ZPbF
IRF3709ZSPbF
IRF3709ZLPbF
Qg
17nC
6.3m
:
PD -95465
V
DSS
R
DS ( ON)
最大
30V
好处
l
低R
DS ( ON)
在4.5V V
GS
l
低栅电荷
l
充分界定雪崩电压
和电流
TO-220AB
IRF3709Z
D
2
PAK
IRF3709ZS
TO-262
IRF3709ZL
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
30
单位
V
A
c
h
62
h
87
350
79
40
± 20
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
W
W / ℃,
°C
0.53
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅的( 1.1N M)
y
y
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
i
典型值。
马克斯。
1.89
40
单位
° C / W
结到环境(印刷电路板安装)
g
–––
–––
笔记
通过
12页
www.irf.com
1
6/30/04
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