大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN硅外延晶体管
CSD667
CSD667A
TO-237
BCE
低频功率放大器
互补CSB647 / A
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃）
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
IC
集电极电流
IC
PEAK
PC
集电极耗散功率
TJ ， TSTG
工作和存储结
温度范围
CSD667
120
80
5.0
1.0
2.0
0.9
-55到+150
CSD667A
120
100
5.0
1.0
2.0
0.9
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
摄氏度
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
CSD667 CSD667A
VCBO
IC = 10uA的， IE = 0
>120
>120
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
>80
>100
集电极发射极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
>5.0
>5.0
发射极电压
ICBO
VCB = 100V ， IE = 0
<10
<10
收藏家切断电流
的hFE *
IC=150mA,VCE=5V**
60-320
60-200
直流电流增益
IC=500mA,VCE=5V**
>30
>30
VCE （星期六） IC = 500毫安， IB = 50毫安**
<1.0
<1.0
集电极 - 发射极饱和电压
VBE
IC=150mA,VCE=5V**
<1.5
<1.5
基地发射极电压
动态特性
ft
IC=150mA,VCE=5V**
typ140
typ140
增益带宽积
COB
VCB = 10V ， F = 1MHz的
typ12
typ12
输出电容
分类
的hFE *
的hFE *
**脉冲测试
B
60-120
60-120
C
100-200
100-200
D
160-320
-
单位
V
V
V
uA
V
V
兆赫
pF
CSD667
CSD667A
大陆设备印度有限公司
数据表
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