大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN硅外延晶体管
CSD667
CSD667A
TO-237
BCE
低频功率放大器
互补CSB647 / A
绝对最大额定值( TA = 25 ℃)
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
IC
集电极电流
IC
PEAK
PC
集电极耗散功率
TJ , TSTG
工作和存储结
温度范围
CSD667
120
80
5.0
1.0
2.0
0.9
-55到+150
CSD667A
120
100
5.0
1.0
2.0
0.9
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
摄氏度
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号测试条件
CSD667 CSD667A
VCBO
IC = 10uA的, IE = 0
>120
>120
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时, IB = 0
>80
>100
集电极发射极电压
VEBO
IE =为10uA , IC = 0
>5.0
>5.0
发射极电压
ICBO
VCB = 100V , IE = 0
<10
<10
收藏家切断电流
的hFE *
IC=150mA,VCE=5V**
60-320
60-200
直流电流增益
IC=500mA,VCE=5V**
>30
>30
VCE (星期六) IC = 500毫安, IB = 50毫安**
<1.0
<1.0
集电极 - 发射极饱和电压
VBE
IC=150mA,VCE=5V**
<1.5
<1.5
基地发射极电压
动态特性
ft
IC=150mA,VCE=5V**
typ140
typ140
增益带宽积
COB
VCB = 10V , F = 1MHz的
typ12
typ12
输出电容
分类
的hFE *
的hFE *
**脉冲测试
B
60-120
60-120
C
100-200
100-200
D
160-320
-
单位
V
V
V
uA
V
V
兆赫
pF
CSD667
CSD667A
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页2
TO- 237塑料包装
F
B
H
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
J
M英寸
M AX 。
3 2 1
D
E
3 2
1
D
G
L
A A
L
SEC AA
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
3 2 1
包装细节
包
详细
TO- 237散装
TO- 237 T&A
1K/polybag
2K /弹药箱
标准包装
净重量/数量
240克/ 1K个
725克/ 2K个
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
12.5 & QUOT ; X 8英寸×1.8 & QUOT ;
内箱箱
数量
5.0K
2.0K
SIZE
17 & QUOT ; ×15 & QUOT ; X 13.5 & QUOT ;
17 & QUOT ; ×15 & QUOT ; X 13.5 & QUOT ;
外箱BOX
数量
80.0K
32.0K
克重量
26.2公斤
13.8公斤
J
C
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,从而
要确认设备(S )满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
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储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
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CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
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电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com
www.cdil.com
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页2
在MM都diminsions 。
4.32
5.33
4.45
5.20
3.18
4.19
0.41
0.55
0.35
0.50
—
5.40
1.14
1.40
—
2.54
12.70
—
5度
1.14
1.53
K
A