IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
7MBR10SA140
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125°C （典型值）。
25
25
20
15V
VGE = 20V
12V
20
15V
12V
VGE = 20V
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
15
10V
15
10V
10
10
5
5
8V
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8V
0
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
25
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
TJ = 25°C
20
TJ = 125°C
15
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
集电极电流IC [ A]
6
10
4
IC = 20A
2
IC = 10A
IC = 5A
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
5000
1000
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 800V ， IC = 10A ， TJ = 25°C
25
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
1000
资本投资者入境计划
600
15
500
400
10
卓越中心
200
5
100
50
0
5
10
15
20
25
30
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
CRES
35
0
0
20
40
60
80
栅极电荷：的Qg [ NC ]
0
100
门 - 发射极电压VGE [ V]
