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7MBR10SA140
IGBT模块( S系列)
1400V / 10A / PIM
IGBT模块
特点
低V
CE
(SAT)
·小型封装
· P.C。板载模块
·转换器二极管桥式动态制动电路
应用
·逆变器Motoe驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值(TC = 25°C ,除非没有指定)
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
符号
V
CES
V
GES
I
C
集电极电流
I
CP
-I
C
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
收藏家功率disspation
反向重复峰值电压
P
C
V
RRM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
2
t
T
j
T
英镑
V
ISO
条件
等级
1400
±20
连续
1ms
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=25°C
Tc=75°C
15
10
30
20
10
75
1400
±20
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
N·m的
收藏家功率disspation
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
1设备
连续
1ms
1设备
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=25°C
Tc=75°C
15
10
30
20
75
1400
1600
10
105
55
+150
-40到+125
AC 2500
AC 2500
3.5 *
1
变流器
反向重复峰值电压
平均输出电流
浪涌电流(不重复)
2
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 150 ° C, 10毫秒
半正弦波
It
(不重复)
工作结温
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 2
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
AC :11分钟
* 1值得推荐值: 2.5 3.5 N·m的( M5 )
* 2所有接线端子应连接在一起时,隔离测试将完成。
* 3端子8和9 ,应连接在一起。终端1至7和10至24个
应连接在一起,并缩短到铜底板。
IGBT模块
电气特性( TJ = 25 ° C除非另有说明)
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
逆变器
7MBR10SA140
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
C
IES
t
on
t
r
t
r(下ⅰ)
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
t
on
t
r
t
关闭
t
f
I
RRM
V
FM
I
RRM
R
B
条件
分钟。
V
CE
=1400V, V
GE
=0V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ,我
C
=10mA
V
GE
= 15V , IC = 10A芯片
终奌站
V
GE
=0V, V
CE
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
=800V
I
C
=10A
V
GE
=±15V
R
G
=120
I
F
=10A
I
F
=10A
V
CES
=1400V, V
GE
=0V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
I
C
= 10A ,V
GE
= 15V芯片
终奌站
V
CC
=800V
I
C
=10A
V
GE
=±15V
R
G
=120
V
R
=1400V
I
F
=10A
V
R
=1600V
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
465
3305
芯片
终奌站
5.5
7.2
2.2
2.25
1200
0.35
0.25
0.1
0.45
0.08
2.4
2.45
2.7
1.2
0.6
1.0
0.3
V
3.3
0.35
1.0
0.2
2.2
2.3
0.35
0.25
0.45
0.08
芯片
终奌站
1.1
1.2
5000
495
3375
2.7
1.2
0.6
1.0
0.3
1.0
1.5
1.0
520
3450
K
s
mA
A
V
s
pF
s
特征
典型值。
马克斯。
1.0
0.2
8.5
单位
mA
A
V
V
输入电容
开启时间
打开-O FF
正向电压上
FRD的反向恢复时间
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
刹车
开启时间
打开-O FF时间
反向电流
正向电压上
反向电流
阻力
B值
变流器
mA
V
mA
热阻特性
符号
条件
分钟。
逆变器的IGBT
热电阻( 1个设备)
RTH (J -C )
变频器FWD
制动IGBT
转换二极管
接触热阻
*
RTH ( C-F )
随着热复合
0.05
*这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值
特征
典型值。
马克斯。
1.67
2.78
1.67
1.85
单位
° C / W
等效电路示意
[转换]
21(P)
[制动]
22(P1)
[逆变器]
[热敏电阻]
8
20(Gu)
18(Gv)
16(Gw)
9
1(R)
2(S)
3(T)
7(B)
19(Eu)
4(U)
17(Ev)
5(V)
15(Ew)
6(W)
14(Gb)
13(Gx)
12(Gy)
11(Gz)
10(En)
23(N)
24(N1)
IGBT模块
特性(代表)
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25 ° C(典型值)。
7MBR10SA140
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125°C (典型值)。
25
25
20
15V
VGE = 20V
12V
20
15V
12V
VGE = 20V
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
15
10V
15
10V
10
10
5
5
8V
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8V
0
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V (典型值)。
25
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C(典型值)。
TJ = 25°C
20
TJ = 125°C
15
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
集电极电流IC [ A]
6
10
4
IC = 20A
2
IC = 10A
IC = 5A
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压(典型值)。
VGE = 0V , F = 1MHz时, TJ = 25°C
5000
1000
[逆变器]
动态栅极电荷(典型值)
VCC = 800V , IC = 10A , TJ = 25°C
25
电容:的Cies ,卓越中心, Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
1000
资本投资者入境计划
600
15
500
400
10
卓越中心
200
5
100
50
0
5
10
15
20
25
30
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
CRES
35
0
0
20
40
60
80
栅极电荷:的Qg [ NC ]
0
100
门 - 发射极电压VGE [ V]
IGBT模块
7MBR10SA140
[逆变器]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 800V , VGE = ± 15V , RG = 120欧姆, TJ = 25°C
1000
1000
[逆变器]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 800V , VGE = ± 15V , RG = 120欧姆, TJ = 125°C
花花公子
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
500
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
花花公子
500
tr
tr
tf
100
100
tf
50
0
5
10
集电极电流IC [ A]
15
20
50
0
5
10
集电极电流IC [ A]
15
20
[逆变器]
开关时间与栅极电阻(典型值)。
VCC = 800V , IC = 10A , VGE = ± 15V , TJ = 25°C
5000
5
[逆变器]
开关损耗与集电极电流(典型值)。
VCC = 800V , VGE = ± 15V , RG = 120欧姆
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
花花公子
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
4
Eon(125°C)
tr
1000
3
Eon(25°C)
500
Eoff(125°C)
2
Eoff(25°C)
1
Err(125°C)
Err(25°C)
100
tf
50
50
0
100
500
栅极电阻: RG [欧]
1000
2000
0
5
10
集电极电流IC [ A]
15
20
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
VCC = 800V , IC = 10A , VGE = ± 15V , TJ = 125°C
8
25
[逆变器]
反向偏置安全工作区
+ VGE = 15V , -VGE = <15V , RG = >120ohm , TJ = <125 ℃,
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
20
6
集电极电流IC [ A]
2000
15
4
10
EOFF
2
5
ERR
0
50
0
100
500
栅极电阻: RG [欧]
1000
0
200
400
600
800
1000 1200 1400 1600 1800
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
7MBR10SA140
[逆变器]
正向电流与正向电压(典型值)。
25
300
[逆变器]
反向恢复特性(典型值)。
VCC = 800V , VGE = ± 15V , RG = 120欧姆
20
Tj=125°C
Tj=25°C
trr(125°C)
100
trr(25°C)
50
15
反向恢复电流: IRR [ A]
反向恢复时间: trr的[纳秒]
正向电流IF [ A]
10
10
Irr(125°C)
Irr(25°C)
5
0
0
1
2
3
4
正向电压: VF [ V]
1
0
5
10
正向电流IF [ A]
15
20
[转换]
正向电流与正向电压(典型值)。
25
20
TJ = 25°C
TJ = 125°C
正向电流IF [ A]
15
10
5
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电压: VFM [ V]
瞬态热阻
10
200
100
[热敏电阻]
温度特性(典型值)。
热resistanse : Rth的(J -C ) [℃ / W]
FWD [逆变器]
1
IGBT
[逆变器,制动]
电阻值:R [K欧姆]
1
CONV 。二极管
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
脉冲宽度:密码[秒]
温度[° C]
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    7MBR10SA140
    -
    -
    -
    -
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电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
7MBR10SA140
FUJI/富士
21+
1288
原装
原装现货提供
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电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
7MBR10SA140
富士FUJI
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全新原装,原厂渠道现货
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电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
7MBR10SA140
富士FUJI
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全新原装,原厂渠道现货
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
7MBR10SA140
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24+
1000
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电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
7MBR10SA140
FUJI/富士
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电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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7MBR10SA140
FUJI
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
7MBR10SA140
模块
25
模块
FUJI
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