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典型特征 - 1900兆赫
33
32
G
ps
，功率增益（分贝）
31
G
ps
30
29
28
27
1880
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100瓦CW
I
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
=千毫安
40
35
30
25
2040
PAE
55
50
45
PAE ，功率附加效率（ ％ ）
5
10
15
20
IRL ，输入回波
损耗（dB）
5
10
15
20
IRL ，输入回波
损耗（dB）
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
男，频率（MHz）
图5.功率增益，输入回波损耗和功率增加
效率与频率@ P
OUT
= 100瓦CW
32
31
G
ps
，功率增益（分贝）
30
PAE
29
28
27
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 40瓦的魅力。
I
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
= 800毫安
EDGE调制
30
20
10
0
2040
G
ps
60
50
40
PAE ，功率附加
效率（％）
EVM ，误差向量
幅度（ ％ RMS）
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
V
DD
= 28伏直流，我
DQ2
=千毫安
F = 1960 MHz的
100
200
EVM
26
1880 1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
男，频率（MHz）
图6.功率增益，输入回波损耗， EVM和功率
附加效率与频率@ P
OUT
= 40瓦的魅力。
32
I
DQ2
= 1500毫安
31
千毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
30
750毫安
29
500毫安
28
27
26
25
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
100
200
V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 180毫安
F = 1960 MHz的
G
ps
，功率增益（分贝）
1250毫安
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
90毫安
180毫安
I
DQ1
= 270毫安
225毫安
135毫安
图7.两个 - 音频功率增益与
输出功率@我
DQ1
= 180毫安
图8.两个 - 音频功率增益与
输出功率@我
DQ2
=千毫安
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
