飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC18100N
第2版， 4/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC18100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1805年至2050年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制包括GSM EDGE和CDMA 。
最终的应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安，
P
OUT
= 100瓦CW ， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 48 ％
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
=
800毫安，P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 35 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 80 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1990兆赫， 100瓦CW
输出功率
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到120瓦CW
P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC18100NR1
MW7IC18100GNR1
MW7IC18100NBR1
1990年兆赫， 100 W， 28 V
GSM / EDGE GSM
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MW7IC18100NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MW7IC18100GNR1
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MW7IC18100NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
(1)
NC
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
OUT
/V
DS2
13
RF
OUT
/V
DS2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2007年， 2008年。保留所有权利。
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +6
- 65 + 200
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 100瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 180毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
=千毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
2.0
0.51
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
O（最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
功率增益
输入回波损耗
功率附加效率
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
符号
G
ps
IRL
PAE
P1dB
民
27
—
45
100
典型值
30
- 15
48
112
最大
31
- 10
—
—
单位
dB
dB
%
W
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100W的CW ，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， F = 1990兆赫。
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
= 800毫安，
P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805至1880年MHz或一九三○年至1990年兆赫EDGE调制。
功率增益
功率附加效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
PAE
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
31
35
1.5
- 63
- 80
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 100瓦CW
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 100瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 100W的CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 100W的CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
民
—
—
—
—
—
—
典型值
0.37
0.502
2.57
63.65
0.048
0.004
最大
—
—
—
—
—
—
单位
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， 1930-1990 MHz带宽
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
+
V
DD1
C1
C10
Z3
RF
输入
Z2
Z1
C11
Z4
Z5
Z6
1 NC
2
3 NC
4 NC
5 NC
Z7
6
7
V
GG1
V
GG2
R1
R2
8 NC
9
10
11
12 NC
C4
C16
Z1
Z2, Z5
Z3
Z4
Z6
Z7
Z8, Z9
Z10
C2
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.880 “× 0.256 ”微带
0.215 “× 0.138 ”微带
0.215 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.298 ”微带
0.083 “× 0.810 ”微带
0.083 “× 0.250”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
C8
C9
静态电流
温度
赔偿金
13
Z9
C13
C15
14
Z10
C12
Z11
Z12
C14
Z13
Z14
Z15
C5
Z16
Z8
RF
产量
DUT
C3
C6
C7
C17
V
DD2
0.083 “× 0.505 ”微带
0.083 “× 0.552 ”微带
0.083 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.174 ”微带
0.083 “× 1.261 ”微带
0.060 “× 0.126 ”微带
0.080 “× 1.569 ”微带
0.880 “× 0.224 ”微带
图3. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图 - 1900兆赫
表6. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件标识和价值观 - 1900MHz的
部分
C1, C2, C3, C4, C5
C6, C7, C8, C9
C10, C11
C12, C13
C14
C15
C16
C17
R1, R2
描述
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
2.2
μF,
16 V贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
10 k 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R5BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B1R5BT500XT
C1206C225K4RAC
477KXM063M
CRCW12061001FKEA
生产厂家
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
伊利诺电容
日前，Vishay
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C17
C10
C1
C11
切出区
C12
C3
C6
C7
C15
C14
C5
MW7IC18100N
第2版
C2
R1
C13
C8
C4
C9
C16
R2
图4. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 1900兆赫
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC18100N
第2版， 4/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC18100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1805年至2050年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制包括GSM EDGE和CDMA 。
最终的应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安，
P
OUT
= 100瓦CW ， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 48 ％
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
=
800毫安，P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 35 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 80 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1990兆赫， 100瓦CW
输出功率
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到120瓦CW
P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC18100NR1
MW7IC18100GNR1
MW7IC18100NBR1
1990年兆赫， 100 W， 28 V
GSM / EDGE GSM
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MW7IC18100NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MW7IC18100GNR1
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MW7IC18100NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
(1)
NC
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
OUT
/V
DS2
13
RF
OUT
/V
DS2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2007年， 2008年。保留所有权利。
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +6
- 65 + 200
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 100瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 180毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
=千毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
2.0
0.51
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
O（最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
功率增益
输入回波损耗
功率附加效率
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
符号
G
ps
IRL
PAE
P1dB
民
27
—
45
100
典型值
30
- 15
48
112
最大
31
- 10
—
—
单位
dB
dB
%
W
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100W的CW ，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， F = 1990兆赫。
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
= 800毫安，
P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805至1880年MHz或一九三○年至1990年兆赫EDGE调制。
功率增益
功率附加效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
PAE
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
31
35
1.5
- 63
- 80
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 100瓦CW
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 100瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 100W的CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 100W的CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
民
—
—
—
—
—
—
典型值
0.37
0.502
2.57
63.65
0.048
0.004
最大
—
—
—
—
—
—
单位
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， 1930-1990 MHz带宽
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
+
V
DD1
C1
C10
Z3
RF
输入
Z2
Z1
C11
Z4
Z5
Z6
1 NC
2
3 NC
4 NC
5 NC
Z7
6
7
V
GG1
V
GG2
R1
R2
8 NC
9
10
11
12 NC
C4
C16
Z1
Z2, Z5
Z3
Z4
Z6
Z7
Z8, Z9
Z10
C2
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.880 “× 0.256 ”微带
0.215 “× 0.138 ”微带
0.215 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.298 ”微带
0.083 “× 0.810 ”微带
0.083 “× 0.250”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
C8
C9
静态电流
温度
赔偿金
13
Z9
C13
C15
14
Z10
C12
Z11
Z12
C14
Z13
Z14
Z15
C5
Z16
Z8
RF
产量
DUT
C3
C6
C7
C17
V
DD2
0.083 “× 0.505 ”微带
0.083 “× 0.552 ”微带
0.083 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.174 ”微带
0.083 “× 1.261 ”微带
0.060 “× 0.126 ”微带
0.080 “× 1.569 ”微带
0.880 “× 0.224 ”微带
图3. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图 - 1900兆赫
表6. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件标识和价值观 - 1900MHz的
部分
C1, C2, C3, C4, C5
C6, C7, C8, C9
C10, C11
C12, C13
C14
C15
C16
C17
R1, R2
描述
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
2.2
μF,
16 V贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
10 k 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R5BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B1R5BT500XT
C1206C225K4RAC
477KXM063M
CRCW12061001FKEA
生产厂家
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
伊利诺电容
日前，Vishay
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C17
C10
C1
C11
切出区
C12
C3
C6
C7
C15
C14
C5
MW7IC18100N
第2版
C2
R1
C13
C8
C4
C9
C16
R2
图4. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 1900兆赫
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC18100N
第2版， 4/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC18100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1805年至2050年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制包括GSM EDGE和CDMA 。
最终的应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安，
P
OUT
= 100瓦CW ， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 48 ％
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
=
800毫安，P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 35 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 80 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1990兆赫， 100瓦CW
输出功率
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到120瓦CW
P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC18100NR1
MW7IC18100GNR1
MW7IC18100NBR1
1990年兆赫， 100 W， 28 V
GSM / EDGE GSM
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MW7IC18100NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MW7IC18100GNR1
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MW7IC18100NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
(1)
NC
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
OUT
/V
DS2
13
RF
OUT
/V
DS2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2007年， 2008年。保留所有权利。
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +6
- 65 + 200
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 100瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 180毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
=千毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
2.0
0.51
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
O（最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
功率增益
输入回波损耗
功率附加效率
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
符号
G
ps
IRL
PAE
P1dB
民
27
—
45
100
典型值
30
- 15
48
112
最大
31
- 10
—
—
单位
dB
dB
%
W
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100W的CW ，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， F = 1990兆赫。
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
= 800毫安，
P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805至1880年MHz或一九三○年至1990年兆赫EDGE调制。
功率增益
功率附加效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
PAE
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
31
35
1.5
- 63
- 80
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 100瓦CW
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 100瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 100W的CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 100W的CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
民
—
—
—
—
—
—
典型值
0.37
0.502
2.57
63.65
0.048
0.004
最大
—
—
—
—
—
—
单位
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， 1930-1990 MHz带宽
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
+
V
DD1
C1
C10
Z3
RF
输入
Z2
Z1
C11
Z4
Z5
Z6
1 NC
2
3 NC
4 NC
5 NC
Z7
6
7
V
GG1
V
GG2
R1
R2
8 NC
9
10
11
12 NC
C4
C16
Z1
Z2, Z5
Z3
Z4
Z6
Z7
Z8, Z9
Z10
C2
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.880 “× 0.256 ”微带
0.215 “× 0.138 ”微带
0.215 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.298 ”微带
0.083 “× 0.810 ”微带
0.083 “× 0.250”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
C8
C9
静态电流
温度
赔偿金
13
Z9
C13
C15
14
Z10
C12
Z11
Z12
C14
Z13
Z14
Z15
C5
Z16
Z8
RF
产量
DUT
C3
C6
C7
C17
V
DD2
0.083 “× 0.505 ”微带
0.083 “× 0.552 ”微带
0.083 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.174 ”微带
0.083 “× 1.261 ”微带
0.060 “× 0.126 ”微带
0.080 “× 1.569 ”微带
0.880 “× 0.224 ”微带
图3. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图 - 1900兆赫
表6. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件标识和价值观 - 1900MHz的
部分
C1, C2, C3, C4, C5
C6, C7, C8, C9
C10, C11
C12, C13
C14
C15
C16
C17
R1, R2
描述
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
2.2
μF,
16 V贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
10 k 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R5BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B1R5BT500XT
C1206C225K4RAC
477KXM063M
CRCW12061001FKEA
生产厂家
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
伊利诺电容
日前，Vishay
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C17
C10
C1
C11
切出区
C12
C3
C6
C7
C15
C14
C5
MW7IC18100N
第2版
C2
R1
C13
C8
C4
C9
C16
R2
图4. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 1900兆赫
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC18100N
第2版， 4/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC18100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1805年至2050年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制包括GSM EDGE和CDMA 。
最终的应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安，
P
OUT
= 100瓦CW ， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 48 ％
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
=
800毫安，P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805年至1880年兆赫或1930年 - 1990兆赫
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 35 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 80 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1990兆赫， 100瓦CW
输出功率
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到120瓦CW
P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC18100NR1
MW7IC18100GNR1
MW7IC18100NBR1
1990年兆赫， 100 W， 28 V
GSM / EDGE GSM
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MW7IC18100NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MW7IC18100GNR1
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MW7IC18100NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
(1)
NC
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
OUT
/V
DS2
13
RF
OUT
/V
DS2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2007年， 2008年。保留所有权利。
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +6
- 65 + 200
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 100瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 180毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
=千毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
2.0
0.51
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
O（最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
功率增益
输入回波损耗
功率附加效率
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
符号
G
ps
IRL
PAE
P1dB
民
27
—
45
100
典型值
30
- 15
48
112
最大
31
- 10
—
—
单位
dB
dB
%
W
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100W的CW ，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， F = 1990兆赫。
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 215毫安，我
DQ2
= 800毫安，
P
OUT
。 = 40瓦的魅力， 1805至1880年MHz或一九三○年至1990年兆赫EDGE调制。
功率增益
功率附加效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
PAE
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
31
35
1.5
- 63
- 80
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 100瓦CW
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 100瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 100W的CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 100W的CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
民
—
—
—
—
—
—
典型值
0.37
0.502
2.57
63.65
0.048
0.004
最大
—
—
—
—
—
—
单位
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 180 mA时，我
DQ2
= 1000毫安， 1930-1990 MHz带宽
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
+
V
DD1
C1
C10
Z3
RF
输入
Z2
Z1
C11
Z4
Z5
Z6
1 NC
2
3 NC
4 NC
5 NC
Z7
6
7
V
GG1
V
GG2
R1
R2
8 NC
9
10
11
12 NC
C4
C16
Z1
Z2, Z5
Z3
Z4
Z6
Z7
Z8, Z9
Z10
C2
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.880 “× 0.256 ”微带
0.215 “× 0.138 ”微带
0.215 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.298 ”微带
0.083 “× 0.810 ”微带
0.083 “× 0.250”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
C8
C9
静态电流
温度
赔偿金
13
Z9
C13
C15
14
Z10
C12
Z11
Z12
C14
Z13
Z14
Z15
C5
Z16
Z8
RF
产量
DUT
C3
C6
C7
C17
V
DD2
0.083 “× 0.505 ”微带
0.083 “× 0.552 ”微带
0.083 “× 0.252 ”微带
0.083 “× 0.174 ”微带
0.083 “× 1.261 ”微带
0.060 “× 0.126 ”微带
0.080 “× 1.569 ”微带
0.880 “× 0.224 ”微带
图3. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图 - 1900兆赫
表6. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件标识和价值观 - 1900MHz的
部分
C1, C2, C3, C4, C5
C6, C7, C8, C9
C10, C11
C12, C13
C14
C15
C16
C17
R1, R2
描述
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
2.2
μF,
16 V贴片电容
470
μF,
63 V的电解电容器，径向
10 k 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R5BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B1R5BT500XT
C1206C225K4RAC
477KXM063M
CRCW12061001FKEA
生产厂家
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
伊利诺电容
日前，Vishay
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C17
C10
C1
C11
切出区
C12
C3
C6
C7
C15
C14
C5
MW7IC18100N
第2版
C2
R1
C13
C8
C4
C9
C16
R2
图4. MW7IC18100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 1900兆赫
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
