$ %
SRAM
特点
M21L216128A
128千×16的SRAM
高速CMOS SRAM
订购信息
44引脚400mil SOJ
44引脚400mil TSOP （ Ⅱ型）
接取时间
（纳秒）
10
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
快速存取时间： 10 ，12，和15ns的
快
OE
访问时间： 5，6，和为7ns
+ 3.3V单
±
0.3V电源
全静态 - 无时钟或定时选通脉冲必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
中心的电源和接地引脚更大的抗噪声能力
方便记忆与膨胀
CE
和
OE
选项
自动
CE
掉电
+ LJK ？ SHUIRUPDQFH ？ ORZ ？ SRZHU FRQVXPSWLRQ ？ &026
WULSOH ？ SRO \\ ？ GRXEOH ？ PHWDO SURFHVV
产品编号
M21L216128A-10J
M21L216128A-10T
M21L216128A-12J
M21L216128A-12T
M21L216128A-15J
M21L216128A-15T
填料
TYPE
SOJ
TSOP
12
SOJ
TSOP
SOJ
TSOP
15
概述
该M21L216128A是一款高速，低功耗
含2,097,152位异步SRAM和
由16位组织为131072 ，它是由高生产
高性能CMOS工艺。
该器件提供中心的电源和地引脚
改进的性能和抗干扰能力。静态设计
省去了外部时钟或定时选通信号。为
增加了系统的灵活性和消除总线争
的问题，此设备提供芯片使能（
CE
） ，单独的字节
使能控制（
LB
和
HE
）和输出使能（
OE
）与此
组织。
引脚分配
SOJ顶视图
A4
A3
A2
A1
A0
CE
Q1
Q2
Q3
DQ4
VCC
GND
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE
A16
A15
A14
A13
A12
TSOP （ Ⅱ型）顶视图
A5
A6
A7
OE
HB
LB
DQ 16
DQ 15
DQ 14
DQ 13
GND
VC
DQ 12
DQ 11
DQ 10
Q9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
Q1
Q2
Q3
Q4
VC
GND
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE
A1 6
A1 5
A1 4
A1 3
A1 2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
HB
LB
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
GND
VCC
DQ12
DQ11
DQ10
Q9
NC
A8
A9
A1 0
A1 1
NC
精英Semiconduture内存技术有限公司
出版日期
:
2000年9月
调整
:
1.0
1/14
$ %
绝对最大额定值*
在V电压
CC
供应相对于Vss ...... ...... -0.5V至+ 4.6V
V
IN
................................................ .. ... 。 - 0.5V至V
CC
+1.0V
工作温度范围Topr ..................... .. 0
°
C至+70
°
C
存储温度（塑料） .................. 。 -55
°
C至+ 125
°
C
结温.......................................... + 125
°
C
功耗... .. .......................................... 。 ... 1.0W
短路输出电流.................................... 50毫安
M21L216128A
*强调高于绝对下所列
最大。额定值可能对设备造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性和建议的操作
（全温度范围; V
CC
= 3.3V
±
0.3V除非另有说明）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
输出（S ）禁用
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
条件
符号
V
IH
V
II
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
3.0
民
2.2
-0.5
-10
-5
2.4
0.4
3.6
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
5
单位备注
V
V
A
A
V
V
V
1
1
1
1,2
1,2
描述
电源
当前位置：工作
TTL待机
CMOS待机
条件
设备选择;
CE
≤
V
IL
; V
CC
= MAX ;
f=f
最大
;输出开路
CE
≥
V
IH
; V
CC
= MAX ; F = F
最大
CE1
≥
V
CC
-0.2; V
CC
= MAX ;
符号
-10
I
CC
I
SB1
I
SB2
190
35
10
最大
-12
160
30
10
-15
130
25
10
单位
mA
mA
mA
笔记
3
所有其它输入
≤
GND或+0.2
≥
V
CC -
0.2;
所有输入静态的; F = 0
电容
描述
输入电容
输入/输出电容（ DQ ）
条件
T
A
= 25°C ; F = 1 MHz的
V
CC
=3.3V
符号
C
I
C
I / O
最大
6
8
单位备注
pF
pF
4
4
精英Semiconduture内存技术有限公司
出版日期
:
2000年9月
调整
:
1.0
3/14
$ %
SRAM
特点
M21L216128A
128千×16的SRAM
高速CMOS SRAM
订购信息
44引脚400mil SOJ
44引脚400mil TSOP （ Ⅱ型）
接取时间
（纳秒）
10
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
快速存取时间： 10 ，12，和15ns的
快
OE
访问时间： 5，6，和为7ns
+ 3.3V单
±
0.3V电源
全静态 - 无时钟或定时选通脉冲必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
中心的电源和接地引脚更大的抗噪声能力
方便记忆与膨胀
CE
和
OE
选项
自动
CE
掉电
+ LJK ？ SHUIRUPDQFH ？ ORZ ？ SRZHU FRQVXPSWLRQ ？ &026
WULSOH ？ SRO \\ ？ GRXEOH ？ PHWDO SURFHVV
产品编号
M21L216128A-10J
M21L216128A-10T
M21L216128A-12J
M21L216128A-12T
M21L216128A-15J
M21L216128A-15T
填料
TYPE
SOJ
TSOP
12
SOJ
TSOP
SOJ
TSOP
15
概述
该M21L216128A是一款高速，低功耗
含2,097,152位异步SRAM和
由16位组织为131072 ，它是由高生产
高性能CMOS工艺。
该器件提供中心的电源和地引脚
改进的性能和抗干扰能力。静态设计
省去了外部时钟或定时选通信号。为
增加了系统的灵活性和消除总线争
的问题，此设备提供芯片使能（
CE
） ，单独的字节
使能控制（
LB
和
HE
）和输出使能（
OE
）与此
组织。
引脚分配
SOJ顶视图
A4
A3
A2
A1
A0
CE
Q1
Q2
Q3
DQ4
VCC
GND
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE
A16
A15
A14
A13
A12
TSOP （ Ⅱ型）顶视图
A5
A6
A7
OE
HB
LB
DQ 16
DQ 15
DQ 14
DQ 13
GND
VC
DQ 12
DQ 11
DQ 10
Q9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
Q1
Q2
Q3
Q4
VC
GND
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE
A1 6
A1 5
A1 4
A1 3
A1 2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
HB
LB
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
GND
VCC
DQ12
DQ11
DQ10
Q9
NC
A8
A9
A1 0
A1 1
NC
精英Semiconduture内存技术有限公司
出版日期
:
2000年9月
调整
:
1.0
1/14
$ %
绝对最大额定值*
在V电压
CC
供应相对于Vss ...... ...... -0.5V至+ 4.6V
V
IN
................................................ .. ... 。 - 0.5V至V
CC
+1.0V
工作温度范围Topr ..................... .. 0
°
C至+70
°
C
存储温度（塑料） .................. 。 -55
°
C至+ 125
°
C
结温.......................................... + 125
°
C
功耗... .. .......................................... 。 ... 1.0W
短路输出电流.................................... 50毫安
M21L216128A
*强调高于绝对下所列
最大。额定值可能对设备造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性和建议的操作
（全温度范围; V
CC
= 3.3V
±
0.3V除非另有说明）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
输出（S ）禁用
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
条件
符号
V
IH
V
II
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
3.0
民
2.2
-0.5
-10
-5
2.4
0.4
3.6
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
5
单位备注
V
V
A
A
V
V
V
1
1
1
1,2
1,2
描述
电源
当前位置：工作
TTL待机
CMOS待机
条件
设备选择;
CE
≤
V
IL
; V
CC
= MAX ;
f=f
最大
;输出开路
CE
≥
V
IH
; V
CC
= MAX ; F = F
最大
CE1
≥
V
CC
-0.2; V
CC
= MAX ;
符号
-10
I
CC
I
SB1
I
SB2
190
35
10
最大
-12
160
30
10
-15
130
25
10
单位
mA
mA
mA
笔记
3
所有其它输入
≤
GND或+0.2
≥
V
CC -
0.2;
所有输入静态的; F = 0
电容
描述
输入电容
输入/输出电容（ DQ ）
条件
T
A
= 25°C ; F = 1 MHz的
V
CC
=3.3V
符号
C
I
C
I / O
最大
6
8
单位备注
pF
pF
4
4
精英Semiconduture内存技术有限公司
出版日期
:
2000年9月
调整
:
1.0
3/14
QQ：2880707522 复制
