P沟道
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
(
)
0.50
IRF7379PbF
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.0
I
D
= -3.0A
0.40
1.5
0.30
1.0
VGS = -4.5V
0.20
0.5
0.10
VGS = -10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= -10V
100 120 140 160
A
0.00
0
2
4
6
8
10
12
14
T
J
，结温（ ° C）
-I
D
，漏电流（ A）
图15 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图16 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
(
)
0.16
0.14
0.12
0.10
ID = -4.3A
0.08
0.06
0
4
8
12
16
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图17 。
典型导通电阻比。门
电压
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